本文關(guān)鍵詞：低介電常數(shù)聚酰亞胺基多孔復(fù)合材料的研究進(jìn)展

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【摘要】：隨著微電子工業(yè)的迅速發(fā)展,對(duì)層間絕緣材料提出了更高的要求。聚酰亞胺因其良好的熱穩(wěn)定性和較低的介電常數(shù)被廣泛應(yīng)用于大規(guī)模集成電路的層間絕緣材料。本文主要對(duì)低介電常數(shù)聚酰亞胺基復(fù)合材料的制備方法進(jìn)行了綜述,著重介紹了籠型倍半硅氧烷(POSS)、多孔SiO_2、蒙脫石、多金屬氧酸鹽(POMs)、石墨烯衍生物的引入在降低聚酰亞胺介電常數(shù)方面的應(yīng)用,并對(duì)低介電常數(shù)聚酰亞胺的發(fā)展前景進(jìn)行了展望。
【作者單位】： 大連理工大學(xué)建設(shè)工程學(xué)部;
【關(guān)鍵詞】： 介電常數(shù) 聚酰亞胺 多孔 層間絕緣材料
【分類(lèi)號(hào)】：TB33
【正文快照】： 1引言在集成電路工藝中,二氧化硅(SiO2)材料因其極好的熱穩(wěn)定性和低吸濕性一直是金屬互聯(lián)線路間使用的主要層間絕緣材料[1]。然而,隨著超大規(guī)模集成電路(ULSI)的不斷發(fā)展,要求芯片的尺寸越來(lái)越小,芯片中信號(hào)傳輸?shù)难舆t時(shí)間也相應(yīng)增加,這種延遲時(shí)間與金屬層間絕緣材料的介電常

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