本文關(guān)鍵詞：h-BN薄膜表面PMMA殘留去除研究

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【摘要】：化學(xué)氣相沉積法(CVD)制備的六方氮化硼薄膜(h-BN)的清潔轉(zhuǎn)移一直備受關(guān)注,h-BN從生長基底向其它目標(biāo)基底轉(zhuǎn)移過程中會引入PMMA殘留物,影響h-BN薄膜的性質(zhì)和應(yīng)用.為研究PMMA殘留物的去除,首先采用低壓化學(xué)氣相淀積法制備了h-BN薄膜并轉(zhuǎn)移至基底表面,然后分別采用丙酮溶解、還原熱處理、氧化熱處理的方法去除h-BN薄膜轉(zhuǎn)移過程中PMMA殘留物.研究結(jié)果發(fā)現(xiàn),丙酮溶解和還原熱處理都不能有效去除PMMA殘留,長時間的氧化熱處理可以徹底去除PMMA殘留.
【作者單位】： 杭州電子科技大學(xué)材料物理研究所;
【關(guān)鍵詞】： 六方氮化硼 轉(zhuǎn)移 PMMA 殘留物
【基金】：國家自然科學(xué)基金資助項目(61106100) 浙江省自然科學(xué)基金資助項目(LY16E02008)
【分類號】：TQ128;TB383.2
【正文快照】： 0引言六方氮化硼(h-BN)薄膜是一種二維介電材料,禁帶寬度為6.07ev[1],具有高熱導(dǎo)率,高機械強度,高電阻和良好的化學(xué)惰性等性能,用于熱界面材料、保護(hù)涂層和納米電子介質(zhì)和深紫外光電器件等領(lǐng)域[2].此外,由h-BN與石墨烯制備的異質(zhì)結(jié)能夠儲存電子能量和動量,可制作精細(xì)紅外探測

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本文編號：675541