本文關鍵詞：硅納米線的制備及其光學性能的研究

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【摘要】：通過金屬催化化學刻蝕的方法中的兩步法制備出了具有陣列結構的硅納米線,研究了不同刻蝕條件對硅納米線形貌的影響,分析了形成不同形貌的原因。測定了不同條件下制備的硅納米線的光吸收性能,總結了影響光吸收性能的因素和原因,根據(jù)硅納米線的光吸收圖求出了硅納米線的禁帶寬度,說明了硅納米線已經具備不同于硅片的性能。
【作者單位】： 北京航空航天大學物理科學與核能工程學院;
【關鍵詞】： 硅納米線 金屬催化化學刻蝕法 光吸收
【分類號】：O471.1;TB383.1
【正文快照】： 1引言硅納米線相對于體硅帶隙寬度增加,屬于間接帶隙半導體。由于硅納米線的直徑較小,使量子限制效應、非定域量子相干效應及非線性光學效應等表現(xiàn)的較為明顯,使得它與體硅具有不同的性質。硅納米線具有高表面活性、電子運輸特性、場發(fā)射性能、光學性能[1-6],在納米傳感器[7,8

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