本文關(guān)鍵詞：稀土發(fā)光納米片材料的制備及性能研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

《中國化學(xué)會第29屆學(xué)術(shù)年會摘要集——第33分會：納米材料合成與組裝》2014年

SnSe納米片的可控制備及其性能研究

趙樹利  彭海琳  劉忠范  

【摘要】：最近幾年,二維原子晶體由于其獨特的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)受到人們的廣泛關(guān)注,在電子學(xué)、光電子學(xué)和光伏器件領(lǐng)域表現(xiàn)出巨大的應(yīng)用前景。硒化錫(SnSe),作為一種重要的IV-VI族層狀硫?qū)倩?具有超低的熱導(dǎo)率和極高的熱電優(yōu)值,其在熱電材料和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域具有巨大的應(yīng)用前景,此外SnSe也是一種重要的半導(dǎo)體材料,可應(yīng)用于在電學(xué)和光伏方面,這大大地激發(fā)了人們對SnSe材料體系的研究熱潮。另外,準二維材料由于其維度導(dǎo)致的小尺寸效應(yīng)、表面效應(yīng)和量子限域效應(yīng)等,往往會表現(xiàn)出許多新奇的性質(zhì)。因此,實現(xiàn)可控地制備高質(zhì)量的準二維SnSe樣品,進而深入研究其特性及其應(yīng)用就顯得尤為重要。我們利用"范德華外延"技術(shù)在云母表面通過氣相沉積的方法成功地得到了疇區(qū)大小在1-6μm的高質(zhì)量單晶SnSe納米薄片。我們研究了其電學(xué)和光電性質(zhì),結(jié)果表明SnSe納米薄片呈現(xiàn)p型半導(dǎo)體的特性,且有很高的光響應(yīng)。

【作者單位】：
【分類號】：O614.432
【正文快照】：

SnSe納米片的可控制備及其性能研究@趙樹利$北京大學(xué)納米化學(xué)中心,北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院!100871$北京大學(xué)前沿交叉學(xué)科研究院!100871 @彭海琳$北京大學(xué)納米化學(xué)中心,北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院!100871$北京大學(xué)前沿交叉學(xué)科研究院!100871 @劉忠范$北京大學(xué)納米化

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