本文關(guān)鍵詞：Cr摻雜ZnS納米管結(jié)構(gòu)和磁性質(zhì)（英文）

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【摘要】：采用第一性原理密度泛函理論系統(tǒng)研究Cr原子單摻雜和雙摻雜單壁Zn S納米管的結(jié)構(gòu)和磁性質(zhì).研究發(fā)現(xiàn)摻雜納米管的形成能比純納米管的形成能低,說明摻雜過程是放熱的.單摻雜納米管的總磁矩主要來自Cr原子3d態(tài)的貢獻(xiàn).結(jié)果表明Cr原子摻雜單壁Zn S納米管趨向于鐵磁態(tài).但鐵磁態(tài)和反鐵磁態(tài)的能量差僅為0.036 e V.為獲得室溫鐵磁性,我們用一個(gè)C原子替代摻雜體系中的一個(gè)S原子.計(jì)算發(fā)現(xiàn)鐵磁態(tài)的能量比反鐵磁態(tài)低0.497e V.表明此摻雜體系可能獲得室溫鐵磁性.
【作者單位】： 鹽城師范學(xué)院物理科學(xué)與電子技術(shù)學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 密度泛函理論 納米管 磁性質(zhì) 共摻雜
【基金】：Supported by Natural Science Foundation of China(11404279;11247235) Qinglan Project of Jiangsu Province
【分類號】：TB383.1;O483
【正文快照】： 0 IntroductionZn S is an important II-VI compound semiconductor with potential applications in electronics andoptoelectronics due to its wide direct band gap[1-2].Nanodimensional Zn S is found to exhibitexcellent optical and optoelectronic properties tha

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本文編號：641877