W-Cu薄膜沉積初期亞穩(wěn)態(tài)固溶體形成機制
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更多相關(guān)文章: W-Cu薄膜 沉積初期 微觀結(jié)構(gòu) 晶化
【摘要】:采用直流雙靶磁控濺射共沉積的方法制備了W含量為75%(原子分數(shù))的W-Cu薄膜,并通過EDS、XRD、SEM、TEM等對W-Cu薄膜沉積初期的微觀形貌及組織結(jié)構(gòu)進行了表征和分析。結(jié)果表明,沉積初期,隨著沉積時間延長,W-Cu薄膜有逐漸晶化的趨勢,并形成了W(Cu)基亞穩(wěn)態(tài)固溶體,且Cu在W中的固溶度逐漸增加。沉積10s時薄膜呈長程無序、短程有序的非晶態(tài),局部有由于靶材粒子擴散不充分而形成的小于5nm的W、Cu納米晶;20s時局部納米晶消失但晶化程度升高;30s時晶化顯著。沉積初期W-Cu薄膜隨沉積時間延長逐漸晶化的原因是沉積過程中高能量的原子或原子團與已沉積的原子碰撞,傳遞能量,促進原子進一步擴散,克服了薄膜的晶化形成能,從而形成了亞穩(wěn)態(tài)的W(Cu)固溶體。
【作者單位】: 湖南大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;湖南省噴射沉積技術(shù)重點實驗室;
【關(guān)鍵詞】: W-Cu薄膜 沉積初期 微觀結(jié)構(gòu) 晶化
【基金】:國家自然科學(xué)基金(51401080)
【分類號】:TB383.2
【正文快照】: 0引言Cu-W為典型的難混溶二元體系,其混合焓ΔH+35kJ/mol,在平衡條件下很難制得Cu-W的化合物及固溶體[1,2]。近年來,人們通過磁控濺射、離子束濺射、電子束蒸發(fā)等非平衡手段沉積了Cu-W薄膜。研究發(fā)現(xiàn),非平衡條件下沉積的Cu-W薄膜出現(xiàn)了Cu基或者W基固溶體,以及晶態(tài)、非晶態(tài)共
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1 趙升林;孫龍;;薄膜沉積的影響因素和修正方法的研究[A];第十七屆十三。ㄊ校┕鈱W(xué)學(xué)術(shù)年會暨“五省一市光學(xué)聯(lián)合年會”論文集[C];2008年
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