類金剛石薄膜在硅基底上的沉積及其熱導(dǎo)率
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更多相關(guān)文章: 類金剛石薄膜 化學(xué)氣相沉積 熱導(dǎo)率 分子動力學(xué)模擬
【摘要】:采用分子動力學(xué)方法模擬了碳在晶體硅基底上的沉積過程,并分析計(jì)算了所沉積的類金剛石薄膜的面向及法向熱導(dǎo)率.對沉積過程的模擬表明,薄膜密度及sp~3雜化類型的碳原子所占比例均隨沉積高度的增加而減小,在碳原子以1 e V能量垂直入射的情況下,在硅基底上沉積的薄膜密度約為2.8 g/cm~3,sp~3雜化類型的碳原子所占比例約為22%,均低于碳在金剛石基底上沉積的情況.采用Green-Kubo方法,計(jì)算了所沉積類金剛石薄膜的熱導(dǎo)率,其面向熱導(dǎo)率可以達(dá)到相同尺寸規(guī)則金剛石晶體的50%左右,并且隨著薄膜密度與sp~3雜化類型碳原子所占比例的升高而升高.
【作者單位】: 清華大學(xué)工程力學(xué)系;中國科學(xué)院蘇州生物醫(yī)學(xué)工程技術(shù)研究所江蘇省醫(yī)用光學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】: 類金剛石薄膜 化學(xué)氣相沉積 熱導(dǎo)率 分子動力學(xué)模擬
【基金】:國家自然科學(xué)基金(批準(zhǔn)號:51376191,51321002)資助的課題~~
【分類號】:TB383.2
【正文快照】: 1引言大功率白光LED在醫(yī)療檢測、保密通信、特殊照明等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景,但芯片散熱問題嚴(yán)重制約其發(fā)展.為了解決芯片散熱問題,有研究者提出在LED芯片的硅基底上通過化學(xué)氣相沉積法沉積一層類金剛石(diamond like carbon,DLC)薄膜來提高其散熱能力[1,2].金剛石、石墨烯
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,本文編號:629160
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