本文關鍵詞：磁性薄膜和圖形化薄膜的磁性研究

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【摘要】：當今社會,隨著人們對于信息量的需求日益增加,大量的信息需要高容量的存儲介質。從20世紀90年代開始,各種存儲介質技術的快速發(fā)展,磁性薄膜作為傳統(tǒng)的存儲介質也得到了長足的發(fā)展。研究磁性材料的機理,自然而然就涉及到了自旋電子學,為了研究磁性材料存儲過程中的自旋翻轉及進動等超快過程,傳統(tǒng)的手段已經(jīng)不能滿足當今科學的發(fā)展�，F(xiàn)如今,飛秒激光發(fā)展迅猛,基于磁光克爾效應的時間分辨的泵浦-探測技術已經(jīng)用來研究超快自旋動力學。磁電子器件的基本結構是微/納米級圖形化陣列,最近,由于圖形化陣列制備技術和薄膜材料制備技術的快速發(fā)展,讓我們研究小型化圖形陣列中的磁行為看到了新的曙光。例如,利用電子束刻蝕(Electron beam lithography,EBL),聚焦離子束刻蝕(focused ion beam lithography,FIB),干涉光刻和納米小球法等來制備各種磁性單元。研究表明圖形化陣列中形狀和結構對單元磁性和磁化過程至關重要。那么如何控制圖形化磁性薄膜陣列中的形狀各向異性,這將會是一個非常有吸引力的研究課題。本文將就聚焦磁光克爾效應(Focus Moke)和時間分辨的超快磁光克爾效應(TRMOKE)的基本原理首先作簡單介紹,其次將闡述聚焦磁光克爾效應測量系統(tǒng)(Focus Moke)和時間分辨的超快磁光克爾效應(TRMOKE)測量系統(tǒng)的設計和搭建,最后通過應用聚焦磁光克爾效應測量系統(tǒng)(Focus Moke),進行CoFeB/GaAs圖形化薄膜的各向異性研究,通過改變圖形化薄膜的長寬比,來研究其對各向異性的影響；通過應用時間分辨的超快磁光克爾效應(TRMOKE)測量系統(tǒng),來研究Co/Pt多層膜自旋動力學相關問題；改變泵浦光的功率,來分析薄膜的磁性阻尼因子的特性。
【關鍵詞】：磁光克爾效應 各向異性 阻尼因子 時間分辨磁光克爾效應
【學位授予單位】：南京大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：TM271;TB383.2
【目錄】：

• 摘要4-6
• Abstract6-10
• 第一章 緒論10-16
• 1.1 研究背景10-11
• 1.2 磁學簡介11-14
• 1.2.1 磁性起源11
• 1.2.2 磁性的分類11-12
• 1.2.3 材料的磁化12-13
• 1.2.4 磁各向異性13-14
• 1.3 自旋電子學發(fā)展歷程14-16
• 第二章 基本理論16-26
• 2.1 簡介16
• 2.2 磁光克爾效應16-20
• 2.2.1 磁光克爾效應概念16-17
• 2.2.2 克爾旋光角的理論推導17-20
• 2.3 時間分辨的超快磁光克爾效應20-26
• 2.3.1 時間分辨克爾旋轉技術概念20-22
• 2.3.2 自旋動力學22-26
• 第三章 實驗設備26-32
• 3.1 聚焦磁光克爾測量系統(tǒng)(Focus MOKE)26-29
• 3.1.1 簡介26
• 3.1.2 基本理論26-27
• 3.1.3 聚焦磁光克爾系統(tǒng)的建立27-29
• 3.2 時間分辨磁光克爾測量系統(tǒng)(TRMOKE)29-32
• 3.2.1 簡介29-30
• 3.2.2 基本理論30
• 3.2.3 時間分辨磁光克爾系統(tǒng)的建立30-32
• 第四章 磁性薄膜各向異性的研究32-50
• 4.1 CoFeB/GaAs圖形化薄膜各向異性的研究32-42
• 4.1.1 簡介32-33
• 4.1.2 樣品制備和測量方法33-36
• 4.1.3 實驗測量和數(shù)據(jù)分析36-42
• 4.2 GaAs基片上鐵單晶薄膜厚度對其磁性的影響42-50
• 4.2.1 簡介42-43
• 4.2.2 樣品的制備和表征43-46
• 4.2.3 實驗測量和數(shù)據(jù)分析46-50
• 第五章 Co/Pt多層薄膜超快磁動力學的研究50-56
• 5.1 簡介50-52
• 5.2 樣品的制備52
• 5.3 實驗測量和數(shù)據(jù)分析52-56
• 第六章 主要結論56-57
• 參考文獻57-60
• 碩士期間學術成果60-61
• 致謝61-62

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本文編號：556306