本文關(guān)鍵詞：原子層沉積工藝制備催化薄膜厚度對(duì)生長(zhǎng)碳納米管陣列的影響

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【摘要】：通過(guò)原子層沉積(ALD)工藝在硅基底依次沉積氧化鋁緩沖層薄膜和氧化鐵催化薄膜,然后利用管式爐進(jìn)行水輔助化學(xué)氣相沉積(WACVD)生長(zhǎng)垂直碳納米管陣列(VACNTs)。結(jié)果表明:ALD工藝制備的氧化鐵薄膜經(jīng)還原氣氛熱處理可形成碳納米管陣列生長(zhǎng)所需的納米催化顆粒;氧化鐵薄膜厚度與納米催化顆粒大小以及生長(zhǎng)出的碳納米管陣列的結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。當(dāng)氧化鐵薄膜厚度為1.2 nm時(shí),生長(zhǎng)出的碳納米管陣列管外徑約為10 nm,管壁層數(shù)約為5層,陣列高度約為400?m。增大氧化鐵薄膜的厚度,生長(zhǎng)出的碳納米管陣列外徑和管壁數(shù)增加,陣列高度降低。實(shí)驗(yàn)還在硅基底側(cè)面觀察到了VACNTs,表明ALD工藝可在三維結(jié)構(gòu)上制備催化薄膜用于生長(zhǎng)VACNTs。
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院上海硅酸鹽研究所特種無(wú)機(jī)涂層重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】： 原子層沉積 氧化鐵 水輔助化學(xué)氣相沉積 垂直碳納米管陣列 結(jié)構(gòu)可控 三維樣品
【分類(lèi)號(hào)】：TQ127.11;TB383.1
【正文快照】：

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本文編號(hào)：552359