發(fā)布時間：2017-07-16 09:02

  本文關鍵詞：原子層沉積銅薄膜研究進展

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【摘要】：微電子領域中的銅互連工藝需要沉積一層連續(xù)且保形好的銅籽晶層,隨著集成電路中特征尺寸的減小及溝槽深寬比的增加,傳統(tǒng)的熱沉積工藝難以滿足其將來的制作要求。本文介紹了使用新的強還原劑前驅體沉積銅金屬工藝的研究進展,重點綜述了利用氫氣等離子體輔助原子層沉積銅薄膜工藝的研究現狀,概述了應用各類銅前驅體進行銅薄膜沉積的參數及所制備銅薄膜的性能,總結了各工藝的優(yōu)缺點。
【作者單位】： 北京印刷學院印刷包裝材料與技術北京市重點實驗室等離子體物理與材料研究室;
【關鍵詞】： 銅籽晶層 原子層沉積 低溫 等離子體
【基金】：北京市自然科學基金項目(4162024) 北京市屬高等學校高層次人才引進與培養(yǎng)計劃項目(CIT&TCD201404130) 北京市教育委員會科技計劃面上項目(KM201510015002,KM201510015009) 2015北京市本科生科學研究計劃項目資助(201601002)
【分類號】：TB306
【正文快照】： 隨著集成電路制作工藝的發(fā)展,芯片中器件的封裝密度不斷增加,多層薄膜互連工藝的制造成為行業(yè)內重要的研究領域[1]。然而特征尺寸的減小使得半導體器件的性能一直受到電阻電容延遲(RC延遲)的影響,阻礙了微電子制造業(yè)的發(fā)展步伐。金屬銅是一種重要的導電材料。鑒于其低的電阻率

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本文編號：547882