本文關(guān)鍵詞：原子層沉積銅薄膜研究進展

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【摘要】：微電子領(lǐng)域中的銅互連工藝需要沉積一層連續(xù)且保形好的銅籽晶層,隨著集成電路中特征尺寸的減小及溝槽深寬比的增加,傳統(tǒng)的熱沉積工藝難以滿足其將來的制作要求。本文介紹了使用新的強還原劑前驅(qū)體沉積銅金屬工藝的研究進展,重點綜述了利用氫氣等離子體輔助原子層沉積銅薄膜工藝的研究現(xiàn)狀,概述了應(yīng)用各類銅前驅(qū)體進行銅薄膜沉積的參數(shù)及所制備銅薄膜的性能,總結(jié)了各工藝的優(yōu)缺點。
【作者單位】： 北京印刷學(xué)院印刷包裝材料與技術(shù)北京市重點實驗室等離子體物理與材料研究室;
【關(guān)鍵詞】： 銅籽晶層 原子層沉積 低溫 等離子體
【基金】：北京市自然科學(xué)基金項目(4162024) 北京市屬高等學(xué)校高層次人才引進與培養(yǎng)計劃項目(CIT&TCD201404130) 北京市教育委員會科技計劃面上項目(KM201510015002,KM201510015009) 2015北京市本科生科學(xué)研究計劃項目資助(201601002)
【分類號】：TB306
【正文快照】： 隨著集成電路制作工藝的發(fā)展,芯片中器件的封裝密度不斷增加,多層薄膜互連工藝的制造成為行業(yè)內(nèi)重要的研究領(lǐng)域[1]。然而特征尺寸的減小使得半導(dǎo)體器件的性能一直受到電阻電容延遲(RC延遲)的影響,阻礙了微電子制造業(yè)的發(fā)展步伐。金屬銅是一種重要的導(dǎo)電材料。鑒于其低的電阻率

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本文編號：547882