SiGe半導體的制備和表征及溫差電偶臂尺寸設計
本文關鍵詞:SiGe半導體的制備和表征及溫差電偶臂尺寸設計
更多相關文章: SiGe 熱電材料 高能球磨 熱電性能 力學性能 尺寸設計
【摘要】:熱電材料可以有效地進行熱能與電能直接相互轉換,在航天探測、廢熱利用等領域有著可觀的應用前景。其中,SiGe合金有著較好的機械性能、熱穩(wěn)定性和不錯的熱電性能,已經在航天用的溫差熱電發(fā)電器有所運用,但是存在的主要問題是ZT值不高,目前報道的最高也是1.15@973K,遠遠低于理論ZT值,從而導致溫差發(fā)電器的輸出功率和轉換效率并不高,遠遠低于傳統(tǒng)發(fā)電器40%的轉換效率。為了解決上述問題,制備高ZT值SiGe合金,設計合適尺寸的溫差電偶臂成了必要的手段。本文首先利用機械合金化(高能球磨)的方法制備分別球磨10h、20h、30h、40h和50h的Si80Ge20B5和Si80Ge20P2熱電材料合金粉末,利用真空熱壓燒結的方法來制備塊狀Si80Ge20b5和Si80Ge20p2合金試樣,然后利用XRD、SEM對塊狀試樣進行微觀組織性能表征發(fā)現(xiàn),通過球磨p-type和n-type兩種合金均完全固溶。同時,隨著球磨時間的增加,晶粒尺寸逐漸減小,球磨50h的合金試樣晶粒尺寸達到了600nm。最后,對制得的十組試樣進行熱電性能測試分析可知,隨著球磨時間的增加,合金的熱導率逐漸減小,主要因為晶粒尺寸減小,晶界逐漸增多,從而加強了對聲子的散射;同時,隨著球磨時間增加,合金電導率先增加,后減;最后求得ZT值,p-type SiGe合金在球磨50h時有著最高的ZT值,ZT=0.83@973K;n-type合金在球磨20h時具有最高的ZT值,ZT=1.3@973K。為了確保制得的SiGe合金在高溫、長期以及其他復雜條件下的服役穩(wěn)定性,本文測試和計算了其納米壓痕、維氏硬度、斷裂韌性、耐熱震性和熱穩(wěn)定性。得到Si80Ge20B5合金試樣的彈性模量為197.05GPa,Si80Ge20P2合金試樣的彈性模量為182.76GPa,Si80Ge20B5合金試樣的納米壓痕硬度為15.77GPa,Si80Ge20p2合金試樣的納米壓痕硬度為15.10GPa;同時測了十組試樣的維氏硬度,p-type和n-type合金試樣的維氏硬度都隨著球磨時間的增加而增大,這主要得益于晶粒尺寸減小計算得到斷裂韌性:p-type SiGe KIC=2.0MPam1/2, n-type SiGe合金KIC=1.8MPam1/2;耐熱震性:p-type RT=455.14W/m, n-type RT=449.56W/m,耐熱震性要優(yōu)于其他熱電材料。對p-type和n-type兩種合金試樣進行TG測試分析,由所得的結果可知,隨著溫度升高,兩種合金均不存在分解和升華的現(xiàn)象,熱穩(wěn)定性很好。為了提高溫差發(fā)電器的輸出功率和轉換效率,并且為下一步設計溫差發(fā)電器做好準備,本文用球磨20h的p-type和n-type合金試樣作為溫差發(fā)電器的PN結,用ANSYS軟件模擬和計算臂長、截面積以及負載電阻對輸出功率和轉換效率的影響,得出當臂長L=2.5mm和橫截面面積s=2.5mm2時,有著較搞的輸出功率和轉換效率,并且當負載電阻RL等于內阻時,輸出功率最大。
【關鍵詞】:SiGe 熱電材料 高能球磨 熱電性能 力學性能 尺寸設計
【學位授予單位】:哈爾濱工業(yè)大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TM913;TB34
【目錄】:
- 摘要4-6
- ABSTRACT6-10
- 第1章 緒論10-21
- 1.1 研究背景和意義10-11
- 1.2 基本效應和定義11-13
- 1.3 熱電材料的研究現(xiàn)狀13-17
- 1.3.1 低溫熱電材料13
- 1.3.2 中溫熱電材料13-14
- 1.3.3 高溫熱電材料14
- 1.3.4 SiGe合金14-17
- 1.4 熱電器件的應用17-18
- 1.5 提高熱電優(yōu)值的方法18-20
- 1.6 本文主要研究內容20-21
- 第2章 試驗材料及方法21-25
- 2.1 試驗材料及制備21-22
- 2.1.1 試驗材料21
- 2.1.2 試驗設備21
- 2.1.3 材料的制備21-22
- 2.2 結構表征22
- 2.3 熱電性能表征22-24
- 2.4 力學性能測試24-25
- 第3章 球磨時間對Si_(80)Ge_(20)B_5組織結構和性能的影響25-36
- 3.1 引言25
- 3.2 Si_(80)Ge_(20)B_5熱電材料XRD圖譜25-26
- 3.3 Si_(80)Ge_(20)B_5熱電材料斷口形貌26
- 3.4 Si_(80)Ge_(20)B_5熱電材料的電輸運特性26-28
- 3.5 Si_(80)Ge_(20)B_5熱電材料的熱輸運特性28-30
- 3.6 Si_(80)Ge_(20)B_5熱電材料無量綱熱電優(yōu)值30-31
- 3.7 力學性能31-34
- 3.8 熱穩(wěn)定性34-35
- 3.9 本章小結35-36
- 第4章 球磨時間對Si_(80)Ge_(20)P_2組織結構和性能的影響36-47
- 4.1 引言36
- 4.2 Si_(80)Ge_(20)P_2熱電材料的XRD圖譜36-37
- 4.3 Si_(80)Ge_(20)P_2熱電材料的斷口形貌37-38
- 4.4 Si_(80)Ge_(20)P_2熱電材料的電輸運特性38-39
- 4.5 Si_(80)Ge_(20)P_2熱電材料的熱輸運特性39-41
- 4.6 Si_(80)Ge_(20)P_2熱電材料無量綱熱電優(yōu)值41-42
- 4.7 力學性能42-45
- 4.8 熱穩(wěn)定性45
- 4.9 本章小結45-47
- 第5章 溫差電偶臂尺寸設計47-55
- 5.1 引言47
- 5.2 ANSYS有限元分析47-48
- 5.2.1 ANSYS簡介47-48
- 5.2.2 ANSYS分析的基本過程48
- 5.3 溫差發(fā)電器的主要性能參數(shù)48-50
- 5.4 溫差電偶臂尺寸設計50-52
- 5.4.1 參數(shù)化建模和參數(shù)設定50-51
- 5.4.2 仿真結果51-52
- 5.5 溫差電偶臂尺寸對溫差發(fā)電器性能參數(shù)的影響52-54
- 5.5.1 截面面積對輸出功率和轉換效率的影響52-53
- 5.5.2 臂長對輸出功率和轉換效率的影響53-54
- 5.5.3 負載電阻對輸出功率和轉換效率的影響54
- 5.6 本章小結54-55
- 結論55-56
- 參考文獻56-61
- 致謝61
【相似文獻】
中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 ;Fabrication of high quality strained SiGe on Si substrate by RPCVD[J];Chinese Science Bulletin;2012年15期
2 王鳳娥;硅集成電路用SiGe/Si異質結構材料及其制備技術[J];稀有金屬;2003年06期
3 孫偉峰;葉志鎮(zhèn);趙炳輝;朱麗萍;;應用于無線電發(fā)射領域的第二代SiGe技術進展[J];材料導報;2005年11期
4 TSIEN Peihsin;Electron irradiation effects on DC electrical performances of SiGe HBT in a comparison with Si BJT[J];Rare Metals;2004年04期
5 Peihsin TSIEN;Electrical Performance of Electron Irradiated SiGe HBT and Si BJT[J];Journal of Materials Science & Technology;2004年06期
6 劉國軍;葉志鎮(zhèn);吳貴斌;孫偉峰;趙星;趙炳輝;;SiGe/Si異質結光電器件[J];材料導報;2006年01期
7 方春玉;蔡坤煌;;氧化SiGe/Si多量子阱制備Si基SiGe弛豫襯底[J];光譜實驗室;2009年06期
8 ;High Quality SiGe Layer Deposited by a New Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition System[J];Journal of Materials Science & Technology;2000年01期
9 ;Bulk single crystal growth of SiGe by PMCZ method[J];Rare Metals;2003年03期
10 ;Comparison of neutron irradiation effects on the electrical performances of SiGe HBT and SiBJT[J];Rare Metals;2003年01期
中國重要會議論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 劉志弘;;SiGe HBT及電路的發(fā)展狀況[A];集成電路配套材料研討會及參展資料匯編[C];2004年
2 蔡坤煌;張永;李成;賴虹凱;陳松巖;;氧化法制備SiGe弛豫緩沖層及其表征[A];第十六屆全國半導體物理學術會議論文摘要集[C];2007年
3 柳偉達;周旗鋼;何自強;;RPCVD生長SiGe薄膜及其性能研究[A];TFC’09全國薄膜技術學術研討會論文摘要集[C];2009年
4 王揚;張萬榮;謝紅云;金冬月;張蔚;何麗劍;沙永萍;;多發(fā)射指分段結構功率SiGe HBT的優(yōu)化設計[A];2007年全國微波毫米波會議論文集(上冊)[C];2007年
5 石瑞英;蒲林;程興華;譚開州;楊晨;劉輪才;王健安;龔敏;;SiGe HBT抗γ輻照機理研究[A];第十六屆全國半導體物理學術會議論文摘要集[C];2007年
6 趙麗霞;高國智;陳秉克;袁肇耿;張鶴鳴;;組分漸變的SiGe HBT材料的生長[A];2010’全國半導體器件技術研討會論文集[C];2010年
7 沙永萍;張萬榮;謝紅云;;SiGe HBT的高頻噪聲相關性模型[A];2007年全國微波毫米波會議論文集(上冊)[C];2007年
8 林曉玲;孔學東;恩云飛;章曉文;姚若河;;SiGe HBT工藝結構及失效分析[A];2007'第十二屆全國可靠性物理學術討論會論文集[C];2007年
9 Jie Yu;Chong Wang;Yu Yang;;Progress on the Numerical Calculation of Electrical Characteristics of Strained SiGe Channel p-MOSFET[A];Proceedings of 2012 China Functional Materials Technology and Industry Forum[C];2012年
10 黃惠敏;韋妮莉;羅文婷;鄭佩燕;孫寶清;;常見食物過敏原sIgE檢測分析[A];中華醫(yī)學會呼吸病學年會——2013第十四次全國呼吸病學學術會議論文匯編[C];2013年
中國重要報紙全文數(shù)據(jù)庫 前4條
1 余衛(wèi)華;SiGe半導體推出全新射頻前端模塊 實現(xiàn)無線多媒體應用[N];電子資訊時報;2008年
2 鳴秦;IBM與泰克合作開發(fā)出SiGe芯片[N];計算機世界;2005年
3 高鳴矯 DigiTimes;SiGe半導體首款EDR藍牙功率放大器[N];電子資訊時報;2006年
4 SiGe半導體企業(yè)及業(yè)務發(fā)展副總裁 John Brewer;RF技術瞄準智能能源[N];中國電子報;2010年
中國博士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前9條
1 徐文婷;Si、Ge、SOI中SiGe納米晶的生長及其特性研究[D];北京有色金屬研究總院;2013年
2 胡輝勇;微波功率SiGe HBT關鍵技術研究[D];西安電子科技大學;2006年
3 張永;微波功率SiGe HBT與基于虛襯底的SiGe HPT的研制[D];廈門大學;2009年
4 黃文韜;SiGe/Si外延與SiGe HBT微波單片放大電路研究[D];清華大學;2004年
5 韓波;射頻微波SiGe HBT建模與參數(shù)提取技術研究[D];華東師范大學;2012年
6 楊沛鋒;Si/SiGe異質結器件研究[D];電子科技大學;2002年
7 李鵬飛;SiGe基材料緊束縛勢模型的發(fā)展及第一性原理研究[D];中國科學技術大學;2013年
8 徐小波;SOI SiGe HBT性能與結構設計研究[D];西安電子科技大學;2012年
9 張濱;SiGe HBT器件及其在LNA電路中的應用研究[D];西安電子科技大學;2013年
中國碩士學位論文全文數(shù)據(jù)庫 前10條
1 李利明;慢性蕁麻疹患者戶塵螨sIgE與IL-4的表達及意義[D];山西醫(yī)科大學;2015年
2 劉默寒;典型SiGe HBTs的總劑量輻射效應研究[D];新疆大學;2015年
3 鐘怡;20GHz SiGe HBT器件設計與工藝研究[D];電子科技大學;2014年
4 趙迪;超薄SiGe虛擬襯底的制備與建模[D];電子科技大學;2015年
5 楊超;SOI應變SiGe BiCMOS關鍵技術研究[D];西安電子科技大學;2014年
6 時炯;SiGe半導體的制備和表征及溫差電偶臂尺寸設計[D];哈爾濱工業(yè)大學;2016年
7 譚靜;SiGe HCMOS IC關鍵工藝技術研究[D];電子科技大學;2006年
8 魏歡;SiGe異質結雙極晶體管及其集成電路的研究[D];北京工業(yè)大學;2000年
9 安正華;SiGe-OI新材料制備及其應用的探索研究[D];中國科學院研究生院(上海微系統(tǒng)與信息技術研究所);2002年
10 吳楠;基于SiGe HBT的高頻增益模塊[D];北京工業(yè)大學;2007年
,本文編號:535558
本文鏈接:http://sikaile.net/kejilunwen/cailiaohuaxuelunwen/535558.html