本文關(guān)鍵詞：鋁納米晶的低溫導(dǎo)電特性研究

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【摘要】：采用真空熱壓技術(shù)將電磁感應(yīng)加熱-自懸浮定向流法制備的鋁納米粉末壓制成塊體樣品.通過X射線衍射、透射電子顯微鏡、掃描電子顯微鏡及X射線能譜分析了鋁納米晶的微觀結(jié)構(gòu),并用四探針法測(cè)量了不同溫度下(8—300 K)樣品的電阻率,研究了鋁納米晶的電阻率(ρ)隨溫度的變化規(guī)律.結(jié)果表明:由于晶界(非晶氧化鋁)對(duì)電子的散射以及晶界聲子對(duì)電子的散射效應(yīng),低溫(40 K)下,鋁納米晶的本征電阻率隨溫度變化關(guān)系明顯不同于粗晶鋁,不僅呈現(xiàn)出T~4變化,還表現(xiàn)出顯著的T3變化規(guī)律.因晶界等缺陷和非晶氧化鋁雜質(zhì)對(duì)電子的散射,鋁納米晶殘余電阻率比粗晶鋁電阻率大5—6個(gè)數(shù)量級(jí).
【作者單位】： 西南科技大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院;中國(guó)工程物理研究院激光聚變研究中心;
【關(guān)鍵詞】： 鋁納米晶 電阻率 聲子-電子散射 晶界
【分類號(hào)】：TB383.1
【正文快照】： 1 引言 納米材料由于量子尺寸效應(yīng)、小尺寸效應(yīng)等,使其具有與粗晶材料明顯不同的物理化學(xué)性能[1-3],多年來受到了廣泛的關(guān)注.早在1965年,Andrews[4]研究了銅納米晶的晶界電阻率,隨后對(duì)晶界電阻率的研究越來越廣泛,如Au[3],Cu[5,6],Ni[7],Gd[8]等.這些研究表明:納米晶材料的晶，

本文編號(hào)：517428