本文關(guān)鍵詞：泡沫石墨基復(fù)合相變材料儲熱過程的數(shù)值研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用數(shù)值仿真的方法,對填充單一相變材料(石蠟、Cerrolow-136合金(49%Bi-21%In-18%Pb-12%Sn))和泡沫石墨基復(fù)合相變材料的相變溫控裝置PTCC(Phase change thermal control component)的儲熱性能進行研究,對比分析兩類溫控裝置對電子發(fā)熱元件表面溫度的控制效果。結(jié)果表明:在芯片功率為25 W、工作時長30 min條件下,含泡沫石墨基復(fù)合相變材料的PTCC對芯片表面的溫度控制比含有單一相變材料的控制溫度更低,并且對于芯片到達溫度上限(75℃)的控制時間也有所延長。泡沫石墨材料的應(yīng)用提高了相變材料的儲熱性能,同時也滿足了電子設(shè)備的溫控要求。
【作者單位】： 北京航空航天大學(xué)航空科學(xué)與工程學(xué)院;
【關(guān)鍵詞】： 電子器件 泡沫石墨 數(shù)值仿真 相變溫控技術(shù)
【分類號】：TB34
【正文快照】： 隨著航空航天電子設(shè)備、高能激光武器等電子散熱部件趨向高集成化、小型化和高頻化,熱環(huán)境條件變得更加惡劣和復(fù)雜,這勢必會對電子元器件性能提出更高的要求。有研究者曾提出,未來高熱流密度器件平均散熱需求將達120 W/cm2。對于現(xiàn)階段和未來的高熱流密度器件,傳統(tǒng)的散熱技術(shù)

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