本文關(guān)鍵詞：原子層沉積技術(shù)及其在粉體材料上的應(yīng)用進(jìn)展，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：原子層沉積技術(shù)因其具有精確的沉積厚度控制、良好的保形性、均勻性等特點(diǎn),已經(jīng)成為一項(xiàng)重要的薄膜沉積技術(shù)。而粉體材料作為材料的一種重要的表現(xiàn)形式,其改性技術(shù)對(duì)整個(gè)材料行業(yè)都具有重大意義。原子層沉積在粉體材料特別是納米粉體的表面改性方面也有其應(yīng)用。綜述了原子層沉積的原理及其在粉體材料處理方面的進(jìn)展。
【作者單位】： 西安近代化學(xué)研究所;
【關(guān)鍵詞】： 原子層沉積 粉體材料 表面改性
【分類號(hào)】：TB383.3
【正文快照】： 1原子層沉積技術(shù)及原理原子層沉積(atomic layer deposition,簡(jiǎn)稱ALD)顧名思義,是一種能夠按照原子層厚度進(jìn)行沉積的薄膜生長(zhǎng)的方法。因其原子尺度的薄膜生長(zhǎng)控制、良好的保形性、均勻性、適用于高長(zhǎng)寬比基底等特點(diǎn),已成為半導(dǎo)體微電子行業(yè)中非常重要的一種技術(shù)手段[1],如MEMS

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本文編號(hào)：460896