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納米結(jié)構(gòu)薄膜電極材料的構(gòu)筑及其在CIGS薄膜光伏器件中的應(yīng)用

發(fā)布時(shí)間:2017-06-18 15:06

  本文關(guān)鍵詞:納米結(jié)構(gòu)薄膜電極材料的構(gòu)筑及其在CIGS薄膜光伏器件中的應(yīng)用,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:太陽(yáng)能發(fā)電作為一種清潔、可再生的能源,被認(rèn)為是解決能源衰竭和環(huán)境污染問(wèn)題的有效途徑之一。太陽(yáng)能電池的研制和開(kāi)發(fā)日益受到人們的重視和關(guān)注;诮档统杀竞痛竺娣e生產(chǎn)的考慮,太陽(yáng)能電池薄膜化是其發(fā)展的必然趨勢(shì)。在所有種類的薄膜太陽(yáng)電池中,基于多晶銅銦鎵硒(CIGS)吸收層的薄膜光伏器件被認(rèn)為是最有希望走向大規(guī)模實(shí)際應(yīng)用的薄膜光伏器件之一。盡管目前其實(shí)驗(yàn)室光電轉(zhuǎn)換效率已超過(guò)20%,但其自身層狀薄膜的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)使電池內(nèi)部仍存在光吸收效率和載流子收集效率相互制約問(wèn)題,其光電轉(zhuǎn)換效率仍有較大的提升空間。納米結(jié)構(gòu)具有大的比表面積,對(duì)光具有減反射性能。在優(yōu)化CIGS薄膜太陽(yáng)能電池各層材料性能的同時(shí),構(gòu)筑并引入納米結(jié)構(gòu)是解決薄膜光伏器件中光吸收和載流子之間相互競(jìng)爭(zhēng)的矛盾、進(jìn)而提高電池效率的有效途徑之一。本論文基于此研究思路,分別對(duì)磁控法制備CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的Mo背電極和ZnO/Al:ZnO(AZO)頂電極薄膜材料進(jìn)行了系統(tǒng)的研究,在優(yōu)化其各項(xiàng)工藝參數(shù)得到高質(zhì)量薄膜電極材料的基礎(chǔ)上,利用納米微球刻蝕技術(shù)構(gòu)筑了有序的Mo網(wǎng)格陣列結(jié)構(gòu)、ZnO網(wǎng)格陣列結(jié)構(gòu)及ZnO空腔結(jié)構(gòu),并把這些有序微納結(jié)構(gòu)引入到CIGS薄膜光伏器件中,深入研究了有序微納結(jié)構(gòu)對(duì)電池性能的影響。本論文主要開(kāi)展以下三部分的研究工作:(1)背電極Mo薄膜材料和Mo網(wǎng)格的制備及其在CIGS光伏器件中的應(yīng)用利用直流磁控濺射技術(shù)在鈉鈣玻璃襯底上沉積Mo薄膜。系統(tǒng)探索了工作氣壓、濺射功率、濺射時(shí)間及基片轉(zhuǎn)速等參數(shù)對(duì)Mo薄膜的相結(jié)構(gòu)、形貌及電阻率的影響。通過(guò)兩步濺射法得到致密性好、基底黏附性好,電阻較低的Mo薄膜,所獲得的Mo薄膜最小方阻為0.3??□。目前,以此工藝條件濺射的Mo薄膜作為背電極,以CIGS為吸收層的電池效率高于10%。在成功優(yōu)化Mo薄膜電極材料工藝參數(shù)的基礎(chǔ)上,利用Nanosphere Lithography(NSL)技術(shù)構(gòu)筑了大面積的Mo網(wǎng)格陣列結(jié)構(gòu)。將具有微納有序結(jié)構(gòu)的Mo薄膜應(yīng)用到CIGS電池中,研究了Mo網(wǎng)格結(jié)構(gòu)對(duì)電池器件性能的影響。(2)磁控濺射系統(tǒng)制備高性能AZO薄膜利用射頻電源磁控濺射系統(tǒng)在鈉鈣玻璃基底上沉積了AZO薄膜。系統(tǒng)的研究了基底溫度對(duì)AZO薄膜的形貌、晶體結(jié)構(gòu)及其電學(xué)性質(zhì)的影響。研究結(jié)果表明:所有的AZO薄膜均為沿C軸擇優(yōu)生長(zhǎng)的六方結(jié)構(gòu)。形貌和電學(xué)測(cè)試結(jié)果證實(shí)基底溫度對(duì)AZO薄膜的形貌、光學(xué)和電學(xué)性能都有著重要影響。從近紫外區(qū)域到近紅外區(qū)域,AZO薄膜的最高的平均透過(guò)率超過(guò)83%。最小電阻率為6.1′10-4?·cm,載流子濃度和遷移率分別為3.357′1020 cm-3和30.48 cm2/Vs。(3)ZnO薄膜和ZnO納米結(jié)構(gòu)的制備及其在CIGS光伏器件中的應(yīng)用利用射頻電源磁控濺射系統(tǒng)在鈉鈣玻璃上制備透過(guò)率高的本征ZnO薄膜,探索工作壓強(qiáng)、濺射功率、濺射時(shí)間對(duì)薄膜性能影響。最終制備的薄膜厚度為50nm,透過(guò)率超過(guò)85%,電阻在兆歐以上,應(yīng)用在CIGS太陽(yáng)能電池中,效率超過(guò)10%。利用不同周期的PS球?yàn)槟0?AZO薄膜為種子層通過(guò)水熱生長(zhǎng)構(gòu)筑了不同周期的ZnO納米結(jié)構(gòu)。通過(guò)調(diào)控生長(zhǎng)時(shí)間控制最終ZnO納米結(jié)構(gòu)的形狀。研究結(jié)果表明:不同周期的ZnO納米結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出明顯不同的光學(xué)特性,有望進(jìn)一步提高以ZnO納米結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)的CIGS光伏器件的綜合性能。
【關(guān)鍵詞】:CIGS薄膜太陽(yáng)能電池 磁控濺射 薄膜電極材料 納米結(jié)構(gòu) 光電特性
【學(xué)位授予單位】:河南大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2016
【分類號(hào)】:TM914.42;TB383.2
【目錄】:
  • 摘要4-6
  • ABSTRACT6-11
  • 第一章緒論11-31
  • 1.1 概述11-12
  • 1.2 CIGS薄膜太陽(yáng)能電池及其研究現(xiàn)狀12-17
  • 1.2.1 CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的基本原理12
  • 1.2.2 CIGS薄膜太陽(yáng)能電池結(jié)構(gòu)12-17
  • 1.2.3 CIGS薄膜太陽(yáng)能電池的研究現(xiàn)狀17
  • 1.3 有序納米結(jié)構(gòu)的構(gòu)筑方法17-21
  • 1.3.1 光刻技術(shù)17-19
  • 1.3.2 納米壓印技術(shù)19
  • 1.3.3 電子束刻蝕技術(shù)19
  • 1.3.4 膠體球刻蝕技術(shù)19-21
  • 1.4 有序納米結(jié)構(gòu)在器件中的應(yīng)用21-22
  • 1.4.1 納米結(jié)構(gòu)增加界面面積及提高載流子傳輸效率21-22
  • 1.4.2 納米陣列結(jié)構(gòu)抗反射性能22
  • 1.5 目前存在的主要問(wèn)題22-23
  • 1.6 論文的研究目的、思路及方法23-26
  • 1.6.1 論文研究目的及思路23-24
  • 1.6.2 論文主要研究?jī)?nèi)容24-26
  • 參考文獻(xiàn)26-31
  • 第二章 Mo電極薄膜和Mo網(wǎng)格的制備及其在光伏器件中的應(yīng)用31-50
  • 2.1 引言31-32
  • 2.2 實(shí)驗(yàn)32-34
  • 2.2.1 試劑和儀器32
  • 2.2.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程32-34
  • 2.3 結(jié)果與討論34-46
  • 2.3.1 直流電源磁控濺射Mo薄膜及其結(jié)構(gòu)性能分析34-43
  • 2.3.2 Mo薄膜在CIGS薄膜太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用43-44
  • 2.3.3 構(gòu)筑Mo網(wǎng)格結(jié)構(gòu)及其在CIGS薄膜太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用44-46
  • 2.4 本章小結(jié)46-48
  • 參考文獻(xiàn)48-50
  • 第三章 磁控濺射沉積AZO薄膜50-62
  • 3.1 引言50-51
  • 3.2 實(shí)驗(yàn)51-52
  • 3.2.1 試劑和儀器51-52
  • 3.2.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程52
  • 3.3 結(jié)果與討論52-59
  • 3.3.1 基底溫度對(duì)AZO薄膜結(jié)構(gòu)性能的影響52-53
  • 3.3.2 基底溫度對(duì)AZO薄膜形貌演變過(guò)程的影響53-56
  • 3.3.3 基底溫度對(duì)AZO薄膜光學(xué)和電學(xué)性能的影響56-59
  • 3.4 本章小結(jié)59-60
  • 參考文獻(xiàn)60-62
  • 第四章 ZnO薄膜和納米結(jié)構(gòu)的制備及在CIGS器件中的應(yīng)用62-79
  • 4.1 引言62-63
  • 4.2 實(shí)驗(yàn)63-66
  • 4.2.1 試劑和儀器63-64
  • 4.2.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程64-66
  • 4.3 結(jié)果與討論66-75
  • 4.3.1 濺射功率對(duì)ZnO薄膜性能的影響66-69
  • 4.3.2 濺射氣壓對(duì)ZnO薄膜透過(guò)率的影響69
  • 4.3.3 ZnO薄膜在CIGS薄膜太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用69-71
  • 4.3.4 不同生長(zhǎng)時(shí)間對(duì)ZnO空腔陣列結(jié)構(gòu)形貌及結(jié)晶性的影響71-73
  • 4.3.5 不同周期ZnO空腔結(jié)構(gòu)的形貌及光學(xué)性能73-74
  • 4.3.6 ZnO空腔結(jié)構(gòu)在CIGS薄膜光伏器件中的應(yīng)用74-75
  • 4.4 本章小結(jié)75-76
  • 參考文獻(xiàn)76-79
  • 工作總結(jié)79-81
  • 總結(jié)79-80
  • 存在的問(wèn)題與展望80-81
  • 碩士期間發(fā)表和已完成的論文與工作81-83
  • 致謝83-84

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10 MEB記者 何s,

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