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射頻磁控濺射法制備Ti摻雜ITO薄膜的厚度對(duì)膜結(jié)構(gòu)與光電性能的影響

發(fā)布時(shí)間:2017-06-12 18:07

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【摘要】:利用Ti摻雜ITO靶材,采用單靶磁控濺射法在玻璃基底上制備厚度為50~300 nm的ITO:Ti薄膜。借助X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、可見(jiàn)光分光光度計(jì)、霍爾測(cè)試系統(tǒng)和四探針電阻測(cè)量?jī)x,研究薄膜厚度對(duì)薄膜的晶體結(jié)構(gòu)、表面形貌和光電性能的影響。結(jié)果表明:ITO:Ti薄膜呈現(xiàn)(400)擇優(yōu)取向,隨薄膜厚度增加,薄膜的結(jié)晶程度增強(qiáng),晶粒度增大,薄膜更致密。隨薄膜厚度增加,薄膜的均方根粗糙度和平均粗糙度以及電阻率都先減小再增加,薄膜厚度為250 nm時(shí),表面粗糙度最小,蔣膜厚度為200 nm時(shí),電阻率最低,為2.1×10-3?·cm。不同厚度的薄膜對(duì)可見(jiàn)光區(qū)的平均透過(guò)率都在89%以上。
【作者單位】: 北京科技大學(xué)冶金與生態(tài)工程學(xué)院;稀有金屬特種材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;高端金屬材料特種熔煉與制備北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【關(guān)鍵詞】射頻磁控濺射 半導(dǎo)體 ITO Ti薄膜 薄膜厚度 光電性能
【基金】:中央高;究蒲袠I(yè)務(wù)費(fèi)專項(xiàng)資金資助項(xiàng)目(FRF-BD-15-004A)
【分類號(hào)】:TB383.2
【正文快照】: 2.高端金屬材料特種熔煉與制備北京市重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,北京100083;3.稀有金屬特種材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,石嘴山753000)氧化銦錫(indium tin oxide,ITO)是一種重?fù)诫s、高簡(jiǎn)并的n型半導(dǎo)體材料,載流子濃度約為1021 cm3,電導(dǎo)率可達(dá)104?·cm,其主要成分是In2O3,In2O3具有體心立方結(jié)構(gòu),密度

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5 趙昊巖;溶液法制備有機(jī)晶態(tài)薄膜及其晶體管特性研究[D];清華大學(xué);2015年

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本文編號(hào):444611

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