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高功率半導體熱沉材料步入“鉆銅”時代

發(fā)布時間:2017-06-10 21:11

  本文關鍵詞:高功率半導體熱沉材料步入“鉆銅”時代,由筆耕文化傳播整理發(fā)布。


【摘要】:正金剛石/銅(Dia/Cu),又名"鉆銅",是一種金剛石和銅的復合材料(見圖1)。通常采用壓力浸滲工藝或粉末冶金工藝制備。新1代半導體材料的發(fā)展水平直接決定和影響了金剛石/銅熱沉材料的誕生和產業(yè)化進程。隨著砷化鎵(GaAs)、氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等第2代、第3代高功率半導體芯片、器件的散熱需求增加,金剛石
【作者單位】: 北京有色金屬研究總院;
【關鍵詞】熱沉材料;功率半導體;金剛石顆粒;氮化鎵;浸滲;熱膨脹系數(shù);半導體激光器;粉末冶金工藝;電子封裝材料;砷化鎵;
【分類號】:TB333
【正文快照】: 金剛石/銅(Dia/Cu),又名“鉆銅”,是一種金剛石和銅的復合材料(見圖1)。通常采用壓力浸滲工藝或粉末冶金工藝制備。新1代半導體材料的發(fā)展水平直接決定和影響了金剛石/銅熱沉材料的誕生和產業(yè)化進程。隨著砷化鎵(Ga As)、氮化鎵(Ga N)、碳化硅(Si C)等第2代、第3代高功率半導

【相似文獻】

中國期刊全文數(shù)據(jù)庫 前3條

1 劉彬彬;魯巖娜;謝建新;;W-Cu梯度熱沉材料的致密性和力學性能[J];稀有金屬材料與工程;2008年04期

2 武琪;彭放;李慶華;張文凱;管俊偉;寇自力;;高溫高壓下新型金剛石/碳化硅熱沉材料的熱導率研究[J];金剛石與磨料磨具工程;2011年02期

3 ;[J];;年期


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本文編號:439914

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