本文關(guān)鍵詞：過渡層對(duì)硬磁軟磁雙層膜磁性能的影響，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：近幾年來,隨著科技的發(fā)展,納米復(fù)合材料由于其獨(dú)特的性質(zhì)越來越受到人們的追捧。在磁性材料中,納米雙相復(fù)合由于其結(jié)合了硬磁的高矯頑力和軟磁的高剩磁,使其具有很大的磁能積從而越來越受到人們的關(guān)注。本論文則運(yùn)用微磁學(xué)模擬方法系統(tǒng)介紹了納米復(fù)合中耦合強(qiáng)度,軟磁相厚度,過渡層厚度,對(duì)其磁滯回線,成核場,矯頑力以及剩磁的影響。并就耦合強(qiáng)度和軟磁相厚度方面分別運(yùn)用了OOMMF軟件和Fortran編程,分別就磁滯回線做了對(duì)比與討論,并與實(shí)驗(yàn)上,在Sm Co/Fe中鍍Cu形成對(duì)比。并且就實(shí)驗(yàn)上,不同的退火溫度引起的擴(kuò)散問題,用梯度擴(kuò)散界面的思想,模擬了不同的退火溫度引起的不同的擴(kuò)散厚度,對(duì)實(shí)驗(yàn)起到指導(dǎo)作用。結(jié)果表明:1.納米復(fù)合中,擴(kuò)散層的加入可以改變成核場,當(dāng)總厚度不變時(shí),成核場隨著擴(kuò)散層厚度的增加而增大;當(dāng)硬/軟磁厚度不變時(shí),成核場隨著擴(kuò)散層的厚度的增大而減小。且兩種情況下,矯頑力和釘扎場都隨著擴(kuò)散層厚度的增加而減小。2.擴(kuò)散層的加入改變了交換耦合,可以解釋實(shí)驗(yàn)上納米復(fù)合中,非磁層的加入,阻礙擴(kuò)散,使得界面耦合強(qiáng)度減小,成核場減小。另外擴(kuò)散層的厚度也可使得磁滯回線方形度變好。3.界面耦合強(qiáng)度對(duì)磁滯回線也有影響。隨著界面耦合強(qiáng)度的降低,磁滯回線的方形度減弱,釘扎場和矯頑力提高,成核場下降。另外軟磁相厚度也可降低成核場。
【關(guān)鍵詞】：納米復(fù)合 微磁學(xué)模擬 界面耦合強(qiáng)度 梯度擴(kuò)散
【學(xué)位授予單位】：四川師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類號(hào)】：O482.5;TB383.1
【目錄】：

• 摘要4-5
• ABSTRACT5-8
• 1 緒論8-13
• 1.1 磁性材料進(jìn)展8-11
• 1.2 納米雙相復(fù)合研究現(xiàn)狀11
• 1.3 過渡層對(duì)雙相磁性能的影響11-12
• 1.4 本論文的研究內(nèi)容和意義12-13
• 2 微磁學(xué)的基本理論和方法13-22
• 2.1 微磁學(xué)的發(fā)展13-15
• 2.1.1 微磁學(xué)里面的能量項(xiàng)13-14
• 2.1.2 矯頑力機(jī)制和S-W模型14-15
• 2.2 微磁學(xué)里面的計(jì)算方法15-22
• 2.2.1 三維計(jì)算軟件和模型16-19
• 2.2.2 一維計(jì)算軟件和模型19-22
• 3 界面擴(kuò)散厚度和界面耦合強(qiáng)度對(duì)磁性能的影響22-32
• 3.1 界面擴(kuò)散厚度對(duì)磁性能的影響22-25
• 3.1.1 實(shí)驗(yàn)上的過渡層對(duì)磁性能的影響22-23
• 3.1.2 模擬中不同厚度的過渡層產(chǎn)生的磁滯回線23-25
• 3.2 界面耦合強(qiáng)度對(duì)磁性能的影響25-32
• 3.2.1 不同耦合強(qiáng)度和軟磁層厚度下的磁滯回線25-26
• 3.2.2 磁矩偏轉(zhuǎn)和角度分布26-28
• 3.2.3 臨界場以及和實(shí)驗(yàn)磁滯回線對(duì)比28-32
• 4 結(jié)論及展望32-33
• 參考文獻(xiàn)33-38
• 致謝38-39
• 在校期間科研成果39

【參考文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：439081