發(fā)布時(shí)間：2017-06-05 19:01

  本文關(guān)鍵詞：新結(jié)構(gòu)InN納米材料的CVD生長，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：采用化學(xué)氣相沉積法在p型硅襯底上制備具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)的不同形貌的InN納米材料,通過掃描電子顯微鏡和X射線衍射分析了InN納米材料的形貌、元素組成及晶體結(jié)構(gòu),發(fā)現(xiàn)該材料具有納米線、納米葉、納米項(xiàng)鏈3種結(jié)構(gòu),其中納米葉是InN中的一種新型結(jié)構(gòu)材料,且未見報(bào)道。能譜掃描檢測(cè)確定氮銦原子質(zhì)量比約為1:1.07。在室溫下光致發(fā)光譜的測(cè)試中,經(jīng)計(jì)算可得InN納米材料的帶隙為0.725eV,同時(shí)InN納米葉的發(fā)光強(qiáng)度優(yōu)于納米線與納米項(xiàng)鏈,表明新型納米葉結(jié)構(gòu)具有更優(yōu)異的光學(xué)性能。
【作者單位】： 西南科技大學(xué)四川非金屬復(fù)合與功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室-省部共建國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室培育基地;
【關(guān)鍵詞】： 化學(xué)氣相沉積法 InN納米葉 晶體結(jié)構(gòu) 光致發(fā)光譜
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51572230)
【分類號(hào)】：TQ133.53;TB383.1
【正文快照】： 近年來,Ⅲ族氮化物材料由于其獨(dú)特的光學(xué)和電學(xué)特性[1-5],已成為國內(nèi)外研究的熱點(diǎn)。與其它同族氮化物相比(如Ga N,Al N等),In N材料的禁帶寬度較窄(室溫下禁帶寬度在0.7 e V左右),且具最小電子有效質(zhì)量、最高電子遷移率以及最高飽和漂移速度等優(yōu)點(diǎn),預(yù)示著其在高速場(chǎng)效應(yīng)晶體管

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本文編號(hào)：424374