本文關鍵詞：SiC顆粒化學鍍銅工藝研究，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

【摘要】：化學鍍銅在生產中應用比較廣泛,但是在化學鍍銅過程中的活化工藝所需試劑有毒,并且價格較為昂貴。探討了取消化學鍍銅過程中的活化工藝后,其他工藝條件對Si C鍍銅效果的影響規(guī)律。經(jīng)實驗分析,獲得了化學鍍銅實驗優(yōu)化工藝參數(shù)為:化學鍍銅溶液溫度為35℃,溶液p H值用氫氧化鈉調節(jié)至12~13,硫酸銅加入量為12 g/L,甲醛加入量為28 ml/L,酒石酸鉀鈉加入量為40 g/L,經(jīng)過一定時間在碳化硅表面得到了良好的銅鍍層。通過X射線衍射儀及掃描電鏡檢測,結果表明:取消了活化工藝后,在碳化硅表面仍然得到了較好的銅包覆層。
【作者單位】： 四川大學錦城學院機械工程系;濟南玫德鑄造有限公司;
【關鍵詞】： 碳化硅 化學鍍銅 活化工藝
【分類號】：TB306
【正文快照】： 吳開霞1前言鋁基復合材料具有密度小,質量輕,耐腐蝕性好,價格便宜等優(yōu)點[1],人們對這類材料研究的興趣正日益增長。為了改善鋁基復合材料的性能,可以通過添加一些添加劑來提高其性能,碳化硅是一種性能優(yōu)良的非氧化物陶瓷材料,具有高硬度、高耐磨性、耐高溫、成本低等優(yōu)點[2-4]

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本文編號：416391