新型紅外非線(xiàn)性光學(xué)晶體SrCdGeSe 4 生長(zhǎng)與性質(zhì)表征
發(fā)布時(shí)間:2025-05-11 01:46
鍶鎘鍺硒(SrCdGeSe4)晶體是近期被發(fā)現(xiàn)的一種性能優(yōu)異的新型紅外非線(xiàn)性光學(xué)材料。本研究采用自制的雙溫區(qū)管式爐成功合成出SrCdGeSe4多晶,單次合成量達(dá)到300 g;采用坩堝下降法首次生長(zhǎng)出SrCdGeSe4單晶,尺寸為■27 mm×80 mm;通過(guò)定向、切割和拋光等程序,得到幾個(gè)不同尺寸的定向SrCdGeSe4晶片,選取一片8×8×2 mm3雙面拋光(110)晶片測(cè)試了搖擺曲線(xiàn)、紅外透過(guò)光譜和激光損傷閾值。結(jié)果顯示:(220)搖擺曲線(xiàn)半峰寬為44.8″,該晶體的短波透過(guò)截止邊為596 nm,且在1~14μm波長(zhǎng)范圍內(nèi)透過(guò)率超過(guò)68%;另外,晶體在Nd∶YAG脈沖激光,脈寬5 ns,重復(fù)頻率1 Hz,光斑直徑0.15 mm測(cè)試條件下,激光損傷閾值為530 MW/cm2。
【文章頁(yè)數(shù)】:4 頁(yè)
【文章目錄】:
0 引 言
1 實(shí) 驗(yàn)
1.1 多晶合成
1.2 單晶生長(zhǎng)
1.3 性能測(cè)試
2 結(jié)果與討論
2.1 物相分析
2.2 單晶生長(zhǎng)
2.3 搖擺曲線(xiàn)
2.4 紅外透過(guò)光譜
2.5 激光損傷閾值
3 結(jié) 論
本文編號(hào):4044653
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0 引 言
1 實(shí) 驗(yàn)
1.1 多晶合成
1.2 單晶生長(zhǎng)
1.3 性能測(cè)試
2 結(jié)果與討論
2.1 物相分析
2.2 單晶生長(zhǎng)
2.3 搖擺曲線(xiàn)
2.4 紅外透過(guò)光譜
2.5 激光損傷閾值
3 結(jié) 論
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