發(fā)布時間：2024-11-02 10:49

　　 SiC纖維增強SiC陶瓷基復合材料（簡稱SiC_f/SiC復合材料）具有低密度、高溫穩(wěn)定性、抗氧化性、高耐腐蝕性等特點,在航天及航空發(fā)動機熱結構部件及核聚變反應堆爐第一壁結構等方面有巨大的潛在用途。目前受工藝條件制約,SiC_f/SiC復合材料中用來增強的SiC纖維純度不高,C/Si原子比大于1.3,而采用傳統(tǒng)先驅體浸漬裂解工藝（簡稱PIP）制備的基體材料除了純度不高外,還含有孔隙和缺陷,不能滿足高溫氧化環(huán)境中服役要求。本文通過化學氣相沉積工藝（CVD）在SiC_f/SiC復合材料表面制備出一種高純、低缺陷、耐高溫、低氧擴散系數且與基體材料具有良好匹配性的SiC抗氧化梯度涂層,通過SEM分析基體與膜層的結合情況及涂層的微觀形貌,通過XRD考察涂層的梯度組份及氧化前后涂層成份變化,進而探討梯度涂層抗氧化機理。

【文章頁數】：5 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實驗
3 結果與討論
    3.1 Si Cf/Si C復合材料的氧化機制
    3.2 Si C/Si C復合材料表面CVDSi C生長特性分析
    3.3 基體材料對涂層生長的影響
    3.4 成份漸變涂層生長機理
4 結論



本文編號：4009474