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石墨烯/聚酰亞胺介電復(fù)合材料的制備與性能

發(fā)布時(shí)間:2024-05-21 03:09
  采用密閉氧化法制備氧化石墨,經(jīng)過超聲分散剝離得到氧化石墨烯(graphene oxide,GO),然后以聚乙烯吡咯烷酮為保護(hù)劑、維生素C(Vc)為還原劑,在N,N-二甲基甲酰胺溶液中還原氧化石墨烯,得到還原狀態(tài)的石墨烯(reduced graphene oxide,rGO),最后采用原位復(fù)合、流涎成膜方法制備石墨烯/聚酰亞胺(rGO/PI)復(fù)合薄膜。利用傅里葉變換紅外光譜儀(Fourier transform infrared spectroscopy,FTIR)、掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)、X射線光電子能譜儀(X-ray photoelectron spectrograph,XPS)、熱重分析/差式掃描量熱分析(TGA/DSC)等多種表征方法對(duì)rGO和rGO/PI復(fù)合薄膜的形貌、結(jié)構(gòu)和熱穩(wěn)定性進(jìn)行分析,用寬頻介電譜儀測(cè)試復(fù)合薄膜的介電性能。結(jié)果表明,rGO是一種高效的導(dǎo)電填料,極少的添加量即可顯著提高PI的介電常數(shù),且對(duì)PI的其它性能影響較小。rGO/PI復(fù)合薄膜的介電常數(shù)隨rGO填料含量的變化規(guī)律符合逾滲閾值模型,逾滲閾值f0為0.461%,臨界指數(shù)q為0.523。當(dāng)r...

【文章頁數(shù)】:8 頁


本文編號(hào):3979523

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