在Sn O₂作為電子傳輸層(ElectronTransportLayer,ETLs)的基礎(chǔ)上,使用十六烷基三甲基溴化銨(C₁₆H₃₃(CH₃)₃NBr,CTAB)對ETLs進行界面修飾,CTAB起到填充孔隙和鈍化表面缺陷的作用。分別研究了0.005 mol/L、0.010 mol/L、0.015mol/LCTAB溶液的摻雜濃度對器件效率的影響,探究了不同濃度對其影響的機理,通過SEM、AFM、PL、EIS、J-V以及透過率測試,對樣品的表面形貌,物相結(jié)構(gòu),以及光電性能等參數(shù)進行了系統(tǒng)地研究。證實當界面修飾濃度為0.010 mol/L時,器件擁有16.90%的最佳光電轉(zhuǎn)換效率(Photoelectric Conversion Efficiency, PCE),填充因子(Fill Factor, FF)為74.80%,短路電流密度(Short-circuit Current Density, JSC)為20.53 m A/cm²,開路電壓(Open-circu...

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