摻N多孔碳/氧化鎳錳和碳微納米管的聯(lián)合制備與電容性能的研究
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【部分圖文】:
圖4摻N多孔碳/鎳和摻N多孔碳/氧化鎳錳的XRD圖
074.67801.59587.720.480.270.2023.9547.872.4晶型結(jié)構(gòu)分析圖4(a)中44.51,51.85和76.37°處出現(xiàn)了明顯的衍射峰,與Ni的標準卡片(JCPDSNo.04-0850)相符合,分別對應于Ni的(111)、(200)、(220)衍射....
圖5(b)與(d)均在-0.1和-0.7V附
DSNo.53-0633)α-MnO2的(310)衍射面,30.1和35.4°處對應標準卡片(JCPDSNo.01-1110)NiMn2O4的(220)、(311)衍射面。這充分說明KMnO4對鎳的氧化是有效的,鎳主要轉(zhuǎn)變成NiO,同時伴生有NiMn2O4和α-MnO2。在圖4(....
圖6循環(huán)次數(shù)與比電容保持率的關系Fig6Therelationshipbetweencyclenumbersandspecificcapacitanceretention
原峰或平臺,可能是它們的氧化還原電位未在測試窗口之內(nèi)或因電極反應速度太快而未顯示。圖5(a)與(c)的CV曲線隨掃速的增加,環(huán)的形狀未發(fā)生明顯的變化,表明該復合電極材料具有較高的倍率性能。參照文獻[11]計算電極材料的比電容,能量密度和功率密度,結(jié)果見表2。比較發(fā)現(xiàn),氧化后的復合....
圖4摻N多孔碳/鎳和摻N多孔碳/氧化鎳錳的XRD圖
074.67801.59587.720.480.270.2023.9547.872.4晶型結(jié)構(gòu)分析圖4(a)中44.51,51.85和76.37°處出現(xiàn)了明顯的衍射峰,與Ni的標準卡片(JCPDSNo.04-0850)相符合,分別對應于Ni的(111)、(200)、(220)衍射....
本文編號:3970251
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