SnO₂是一種新型的寬禁帶氧化物半導體材料,室溫下禁帶寬度為3.6eV,所以SnO₂是一種有前景的紫外和藍光材料。此外,由于SnO₂在可見光范圍透光性能優(yōu)越、電阻率較低、化學物理性質穩(wěn)定的優(yōu)點,在氣體傳感器、光電器件及透明導電玻璃等領域有著廣泛的應用前景。近年來,由于納米帶,納米管和納米線等一維納米結構在光電子器件上的大量應用,其研究也引起了國內外研究學者的廣泛關注。有序SnO₂微/納米結構的制備以及特性研究是目前科研學者關注的熱點和難點。本文使用化學氣相沉積(CVD)設備在圖形化藍寶石襯底上制備出不同尺寸、規(guī)則排列的有序微米半球形SnO₂及在硅襯底上未采用任何金屬催化劑的條件下生長出了較長SnO₂納米線,并對其形貌、結構和光學等特性進行了研究,具體研究內容如下:(1)利用化學氣相沉積(CVD)法,在無催化劑的條件下,通過改變反應源錫粉量在圖形化藍寶石襯底上生長出了不同尺寸、規(guī)則排列的有序微米半球形SnO₂。測試結果表明,微米半球形S...

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【學位級別】：碩士

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摘要
Abstract
引言
1 SnO₂的概述
    1.1 SnO₂的基本性質
    1.2 SnO₂的光學特性
    1.3 SnO₂的氣敏特性
    1.4 SnO₂中存在的本征缺陷
    1.5 SnO₂材料的應用
    1.6 SnO₂微/納米材料和器件的研究進展
    1.7 本論文的主要研究內容
2 SnO₂納米材料的制備方法和表征手段
    2.1 SnO₂納米材料的制備方法
        2.1.1 化學氣相沉積(CVD)
        2.1.2 磁控濺射(Magnetron sputtering)
        2.1.3 脈沖激光沉積(PLD)
        2.1.4 溶膠-凝膠(Sol-Gel)
        2.1.5 分子束外延(Molecular Beam Eptaixy)
        2.1.6 模板法
    2.2 相關表征方法
        2.2.1 掃描電子顯微鏡(SEM)
        2.2.2 X射線衍射(XRD)
        2.2.3 光吸收譜(Absorption spectrum)
        2.2.4 光致發(fā)光(PL)
3 圖形化藍寶石襯底上有序微米半球形SnO₂的生長和特性研究
    3.1 實驗過程
    3.2 結果與討論
    3.3 結論
4 硅襯底上SnO₂納米線的制備及研究
    4.1 SnO₂納米線的制備
    4.2 結構性質
    4.3 光學性質
    4.4 小結
結論
參考文獻
攻讀碩士期間取得的成果
致謝



本文編號：3960553