SnO₂是一種新型的寬禁帶氧化物半導(dǎo)體材料,室溫下禁帶寬度為3.6eV,所以SnO₂是一種有前景的紫外和藍(lán)光材料。此外,由于SnO₂在可見(jiàn)光范圍透光性能優(yōu)越、電阻率較低、化學(xué)物理性質(zhì)穩(wěn)定的優(yōu)點(diǎn),在氣體傳感器、光電器件及透明導(dǎo)電玻璃等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。近年來(lái),由于納米帶,納米管和納米線等一維納米結(jié)構(gòu)在光電子器件上的大量應(yīng)用,其研究也引起了國(guó)內(nèi)外研究學(xué)者的廣泛關(guān)注。有序SnO₂微/納米結(jié)構(gòu)的制備以及特性研究是目前科研學(xué)者關(guān)注的熱點(diǎn)和難點(diǎn)。本文使用化學(xué)氣相沉積(CVD)設(shè)備在圖形化藍(lán)寶石襯底上制備出不同尺寸、規(guī)則排列的有序微米半球形SnO₂及在硅襯底上未采用任何金屬催化劑的條件下生長(zhǎng)出了較長(zhǎng)SnO₂納米線,并對(duì)其形貌、結(jié)構(gòu)和光學(xué)等特性進(jìn)行了研究,具體研究?jī)?nèi)容如下:(1)利用化學(xué)氣相沉積(CVD)法,在無(wú)催化劑的條件下,通過(guò)改變反應(yīng)源錫粉量在圖形化藍(lán)寶石襯底上生長(zhǎng)出了不同尺寸、規(guī)則排列的有序微米半球形SnO₂。測(cè)試結(jié)果表明,微米半球形S...

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
引言
1 SnO₂的概述
    1.1 SnO₂的基本性質(zhì)
    1.2 SnO₂的光學(xué)特性
    1.3 SnO₂的氣敏特性
    1.4 SnO₂中存在的本征缺陷
    1.5 SnO₂材料的應(yīng)用
    1.6 SnO₂微/納米材料和器件的研究進(jìn)展
    1.7 本論文的主要研究?jī)?nèi)容
2 SnO₂納米材料的制備方法和表征手段
    2.1 SnO₂納米材料的制備方法
        2.1.1 化學(xué)氣相沉積(CVD)
        2.1.2 磁控濺射(Magnetron sputtering)
        2.1.3 脈沖激光沉積(PLD)
        2.1.4 溶膠-凝膠(Sol-Gel)
        2.1.5 分子束外延(Molecular Beam Eptaixy)
        2.1.6 模板法
    2.2 相關(guān)表征方法
        2.2.1 掃描電子顯微鏡(SEM)
        2.2.2 X射線衍射(XRD)
        2.2.3 光吸收譜(Absorption spectrum)
        2.2.4 光致發(fā)光(PL)
3 圖形化藍(lán)寶石襯底上有序微米半球形SnO₂的生長(zhǎng)和特性研究
    3.1 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
    3.2 結(jié)果與討論
    3.3 結(jié)論
4 硅襯底上SnO₂納米線的制備及研究
    4.1 SnO₂納米線的制備
    4.2 結(jié)構(gòu)性質(zhì)
    4.3 光學(xué)性質(zhì)
    4.4 小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士期間取得的成果
致謝



本文編號(hào)：3960553