發(fā)布時(shí)間：2024-04-20 03:26

　　量子點(diǎn)發(fā)光二極管(Quantum-dot Light-emitting Diodes,QLED)因其半峰寬窄、亮度高、可溶液法制備、發(fā)光顏色隨量子點(diǎn)(Quantum dots,QDs)尺寸連續(xù)可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)在顯示和照明領(lǐng)域具有極大的發(fā)展?jié)摿��；赒LED制備的顯示面板色域廣,能耗低,同時(shí)具有較高的色純度。隨著科技的進(jìn)步,不再僅限于單面出光的半透明器件。人們對(duì)全透明QLED器件的構(gòu)筑研究不斷深入,使全透明器件在未來的顯示領(lǐng)域存在著較大的應(yīng)用價(jià)值,比如高清顯示屏、商店櫥窗、信息公告欄、觀光電梯及車載玻璃等。在構(gòu)筑全透明QLED過程中,電極材料要求有高的導(dǎo)電性和透過率。其中最為常見的透明電極有石墨烯、Ag納米線(AgNWs)、鋁摻雜氧化鋅(AZO)、氟摻雜氧化錫(FTO)等。溶液法制備的AgNWs具有低成本,易加工的優(yōu)點(diǎn),但存在與基底上的附著力差、線與線連接處電阻較大等缺陷。結(jié)合AgNWs的優(yōu)異導(dǎo)電性和AZO薄膜均勻致密的優(yōu)點(diǎn),將AZO薄膜沉積在AgNWs上制備復(fù)合電極,既可以減小接觸電阻又可以增加AgNWs在基底的附著性。本論文采用AgNWs/AZO復(fù)合電極作為透明電極,以ZnCdSeS/Zn...

【文章頁數(shù)】：74 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 量子點(diǎn)發(fā)光二極管的概況
    1.2 QLED的發(fā)光機(jī)制及研究現(xiàn)狀
        1.2.1 QLED的發(fā)光機(jī)制
        1.2.2 QLED的研究現(xiàn)狀
    1.3 透明電極在光電器件中的應(yīng)用概況
        1.3.1 透明電極在全透明QLED的應(yīng)用進(jìn)展
        1.3.2 復(fù)合透明電極在其他光電器件的應(yīng)用概況
    1.4 目前存在的問題
    1.5 本論文的主要研究思路及內(nèi)容
        1.5.1 本論文的主要研究思路
        1.5.2 本論文的主要研究?jī)?nèi)容
第二章 銀納米線/鋁摻雜氧化鋅復(fù)合電極的制備
    2.1 引言
    2.2 AgNWs/AZO復(fù)合電極的制備
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)材料
        2.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器設(shè)備
        2.2.3 實(shí)驗(yàn)過程
    2.3 ALD生長AZO薄膜機(jī)理
    2.4 結(jié)果與討論
        2.4.1 AZO薄膜的制備
        2.4.2 銀納米線薄膜的制備
        2.4.3 AgNWs/AZO復(fù)合電極的制備
    2.5 本章小結(jié)
第三章 AgNWs/AZO復(fù)合電極作為陰極在全透明正型QLED中的應(yīng)用
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)部分
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)材料
        3.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器
        3.2.3 全透明正型QLED器件的構(gòu)筑
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 全透明正型QLED器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
        3.3.2 不同結(jié)構(gòu)上電極在全透明正型QLED器件的應(yīng)用
        3.3.3 不同厚度AZO復(fù)合電極在全透明正型QLED器件的應(yīng)用
        3.3.4 全透明正型QLED器件的優(yōu)化
    3.4 本章小結(jié)
第四章 AgNWs/AZO復(fù)合電極作為陽極在全透明反型QLED中的應(yīng)用
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)部分
        4.2.1 實(shí)驗(yàn)材料
        4.2.2 實(shí)驗(yàn)儀器
        4.2.3 全透明反型QLED器件的構(gòu)筑
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1 全透明反型QLED器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
        4.3.2 不同結(jié)構(gòu)上電極在全透明反型QLED器件的應(yīng)用
        4.3.3 不同厚度AZO復(fù)合電極在全透明反型QLED器件的應(yīng)用
    4.4 本章小結(jié)
總結(jié)與展望
    總結(jié)
    存在的問題與展望
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間的科研成果
致謝



本文編號(hào)：3958802