基于有機(jī)金屬鹵素鈣鈦礦發(fā)光材料的制備及性能研究
【文章頁(yè)數(shù)】:87 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【部分圖文】:
圖1.1典型的鹵素鈣鈦礦結(jié)構(gòu)
華東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文3通常,μ取值范圍在0.442-0.895之間時(shí)認(rèn)為PbX6八面體穩(wěn)定,容差因子t和八面體因子μ為穩(wěn)定的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)提出了理論的判據(jù)[33]。也可以這樣說(shuō),適當(dāng)?shù)慕M分離子半徑對(duì)于形成穩(wěn)定的立方相鈣鈦礦至關(guān)重要。鈣鈦礦的立方結(jié)構(gòu)在高溫下通常是穩(wěn)定的,冷卻到室溫....
圖1.2LARP技術(shù)合成鹵素鈣鈦礦NCs過程
華東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文4可以通過溶液法合成,然而Pérez-Prieto當(dāng)時(shí)所制備得到的鹵素鈣鈦礦NCs具有相對(duì)較低的熒光量子產(chǎn)率(PLQY)約為20%。Zhang等對(duì)LARP技術(shù)進(jìn)行了改進(jìn),其制備方法可以具體描述如下(見圖1.2),將MAX和PbX2溶解于極性溶劑DMF中,再....
圖1.3(a)反溶劑溫度調(diào)控的MAPbBr3納米晶
華東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文7X-p軌道之間的反鍵雜化態(tài)以及B-p軌道和X-p軌道的非鍵雜化態(tài)決定的,前者與價(jià)電子帶的最大值有關(guān),后者與導(dǎo)帶最小值有關(guān),這就允許了通過混合和替換每個(gè)位點(diǎn)的元素來(lái)調(diào)整LHP的帶隙[38,48,49]。如MAPbX3的帶隙分別為3.11eV、2.35eV、....
圖1.4鹵素鈣鈦礦與CdSe、GaAs能帶結(jié)構(gòu)對(duì)比
華東師范大學(xué)碩士學(xué)位論文8圖1.4鹵素鈣鈦礦與CdSe、GaAs能帶結(jié)構(gòu)對(duì)比。1.5應(yīng)用1.5.1發(fā)光二極管(LED)基于MAPbX3的LED:2014年Friend[53]首次以MAPbI3和MAPbBr3(MA=CH3NH3+)作為發(fā)光層制備得到了近紅外光和綠光的鈣鈦礦發(fā)光二....
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