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Zn摻雜Cu 2 O納米薄膜的制備及其光電性能研究

發(fā)布時間:2024-04-19 06:16
  以醋酸鈉(NaAc)和醋酸銅[Cu(Ac)2]作為反應(yīng)體系,采用電沉積法,在氧化銦錫(ITO)導(dǎo)電玻璃上制備了Zn摻雜的氧化亞銅(Cu2O)(Zn/Cu2O)納米薄膜,考察了Cu(Ac)2濃度、沉積溫度、沉積時間、沉積電壓和溶液pH等制備條件對Cu2O納米薄膜光電性能的影響及乙酸鋅[Zn(Ac)2]摻雜量對Zn/Cu2O納米薄膜光電性能的影響。結(jié)果表明,當(dāng)反應(yīng)液中含0.04mol/L Cu(Ac)2、0.02mol/L NaAc、0.0064mmol/L十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)、0.008mol/L Zn(Ac)2、溶液pH=5.5、沉積溫度為50℃時,施加1.4V電壓沉積40min,即可制備形貌較好、光電壓達(dá)0.3054V的Zn/Cu2O薄膜,摻雜Zn(Ac)2的Cu2O納米薄膜比純Cu2O納米...

【文章頁數(shù)】:6 頁

【文章目錄】:
1 實驗部分
    1.1 試劑與儀器
    1.2 Cu2O、Zn/Cu2O納米薄膜的制備
    1.3 Cu2O納米薄膜的表征及光電性能測試
2 結(jié)果與討論
    2.1 Cu2O和Zn/Cu2O納米薄膜的光電性能研究
        2.1.1 Cu(Ac)2濃度對Cu2O納米薄膜光電壓的影響
        2.1.2 沉積溫度對Cu2O納米薄膜光電壓的影響
        2.1.3 沉積時間對Cu2O納米薄膜光電壓的影響
        2.1.4 沉積電壓對Cu2O納米薄膜光電壓的影響
        2.1.5 pH對Cu2O納米薄膜光電壓的影響
        2.1.6 Zn(Ac)2摻雜量對Zn/Cu2O納米薄膜光電壓的影響
    2.2 結(jié)構(gòu)分析
        2.2.1 UV-Vis分析
        2.2.2 XRD分析
        2.2.3 SEM分析
        2.2.4 EDS分析
3 結(jié)論



本文編號:3958341

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