熱電材料是一種可以實(shí)現(xiàn)熱能與電能之間直接相互轉(zhuǎn)換的新型能源材料,具有廣泛的應(yīng)用前景。低維結(jié)構(gòu)可以通過(guò)增強(qiáng)材料的界面聲子散射從而降低材料的熱導(dǎo)率,提高材料的熱電性能。Bi₂Te₃作為室溫附近應(yīng)用最廣泛的傳統(tǒng)熱電材料,通過(guò)低維化處理,能夠顯著優(yōu)化其熱電輸運(yùn)性質(zhì),其研究是一個(gè)十分重要的研究領(lǐng)域,顯示出很大的應(yīng)用潛力。已有的研究主要集中在納米晶塊體材料,對(duì)薄膜了解較少。本論文主要針對(duì)Bi₂Te₃基熱電納米晶薄膜的真空熱蒸發(fā)生長(zhǎng)、結(jié)構(gòu)調(diào)控和物性上開(kāi)展了研究工作,得到了以下主要結(jié)果:(1)首次采用真空熱蒸發(fā)技術(shù)在SiO₂襯底上成功制備了具有(00l)高度取向的Bi₄Te₃納米柱陣列薄膜,對(duì)樣品進(jìn)行了詳細(xì)的結(jié)構(gòu)與電輸運(yùn)性能表征,討論了蒸發(fā)源溫度和襯底溫度對(duì)Bi₄Te₃薄膜的成相及其微結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)的影響。結(jié)果表明,得到的薄膜樣品具有納米柱陣列的微結(jié)構(gòu)和(00l)高度取向;Bi₄Te

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

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圖1-1Seebeck效應(yīng)示意圖

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圖1-4各熱電參數(shù)與載流子濃度的關(guān)系示意圖[26]Therelationshipbetweeneachthermoelectricparameterandcarrierconcen電各參數(shù)之間的關(guān)系，同時(shí)具備高電導(dǎo)率和低熱導(dǎo)率的材料很中，載流子是傳輸熱能和電....

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