高分子復(fù)合材料由于其具有高性能,耐腐蝕,輕質(zhì),生產(chǎn)成本低廉等特性被廣泛地應(yīng)用在電子封裝領(lǐng)域。隨著電子技術(shù)的發(fā)展,新一代的電子元器件具有了更高的功率密度,使得電子設(shè)備在工作時(shí)會產(chǎn)生大量的余熱。過多的余熱會對整個(gè)系統(tǒng)造成嚴(yán)重的損害,引起火災(zāi)等事故發(fā)生。使用高導(dǎo)熱性能的材料能夠有效的耗散多余熱量,滿足設(shè)備對熱管理的需求,這對于高功耗系統(tǒng)是非常有必要的。同時(shí)隨著電子元件功率密度的提高,所引起的電磁波輻射干擾也日益受到關(guān)注。為了提高設(shè)備的抗電磁干擾能力,電子封裝材料也需要具有一定的電磁波吸收性能來保護(hù)電子元件的正常工作。一般來說,高分子聚合物的熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率及吸波性能普遍較低,限制了其在高性能電子系統(tǒng)中的進(jìn)一步應(yīng)用。在目前的工業(yè)生產(chǎn)實(shí)際中,為了解決這些問題,將高性能的填料諸如石墨烯,氮化硼,MXene等加入聚合物基體中制備復(fù)合材料是一種簡單直接的方案。這種加工方式通常要求較高的填料填充含量,才能夠提高材料的功能性。然而過高的填料含量會使所制備的復(fù)合材料的機(jī)械性能顯著下降,影響了材料的實(shí)際應(yīng)用。本論文旨在構(gòu)建具有導(dǎo)通網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的多元化的復(fù)合材料體系,以實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料的導(dǎo)熱和吸波性能的有效提升,并維持一...

【文章頁數(shù)】：123 頁

【學(xué)位級別】：博士

【部分圖文】：

圖１．２不同填料在聚乙烯（ＰＥ）復(fù)合材料體系中的實(shí)測熱導(dǎo)率與理論模型熱導(dǎo)率的對比Ｍｌ??隨著石墨烯為代表的二維層狀材料受到越來越多的關(guān)注

?（１．１５）??其中，＆為填料的最大填充量，ｃｐ為逾滲閾值，而Ｆ代表了是填料在占滿復(fù)??合材料空間的極限填充量。圖１．１展示了?Ｃｕ顆粒和Ｎｉ顆粒作為填料，ＰＶＣ和??環(huán)氧樹脂（ＥＲ）作為基體的導(dǎo)熱復(fù)合材料的實(shí)際熱導(dǎo)率和導(dǎo)熱模型之間的對比。??０，８卜??ｒ?／．?＇?／??８....

圖１．３晶體材料中不同類型的缺陷產(chǎn)生的聲子散射Ｗ??

同的特定頻率振動，而該頻率是由其結(jié)構(gòu)，組份和其他因素所決定的。這種在不??同頻率下的非諧性振動模式是引起“熱阻”的根本原因？。??圖１．３顯示了在晶體結(jié)構(gòu)中發(fā)現(xiàn)的一些典型的缺陷實(shí)例，例如點(diǎn)缺陷，位錯(cuò)??或晶界。在晶體材料中還可以發(fā)現(xiàn)許多其他類型的缺陷，或多或少地影響熱導(dǎo)率，??并....

圖１．４碳納米纖維在環(huán)氧樹脂基體中的幾種分散狀態(tài)與其復(fù)合材料的熱導(dǎo)率＾??８??

同的特定頻率振動，而該頻率是由其結(jié)構(gòu)，組份和其他因素所決定的。這種在不??同頻率下的非諧性振動模式是引起“熱阻”的根本原因？。??圖１．３顯示了在晶體結(jié)構(gòu)中發(fā)現(xiàn)的一些典型的缺陷實(shí)例，例如點(diǎn)缺陷，位錯(cuò)??或晶界。在晶體材料中還可以發(fā)現(xiàn)許多其他類型的缺陷，或多或少地影響熱導(dǎo)率，??并....

圖１．５在碳納米管和環(huán)氧樹脂基中的界面熱阻和接觸熱阻的示意圖＾??理論上講，構(gòu)成界面的兩相的振動頻率決定了通過該界面的聲子傳輸

料連接處的熱傳遞只能發(fā)生在實(shí)際接觸區(qū)域１３３】。??借助實(shí)驗(yàn)可以通過觀察填充有各種碳材料作為填料的復(fù)合材料的導(dǎo)熱性來??研宄界面熱阻的影響〖３４］。如圖１．６所示，測量并比較了填充有不同尺寸和形狀的??碳填料的聚合物復(fù)合材料的熱導(dǎo)率，包括ＣＢ，ＭＷＣＮＴ，?ＧＮＰ，石墨，膨脹石墨....

本文編號：3953420