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鈣鈦礦材料自摻雜特性及器件設(shè)計(jì)研究

發(fā)布時(shí)間:2024-04-09 23:37
  有機(jī)-無機(jī)金屬鹵化物鈣鈦礦材料憑借其優(yōu)異的光吸收特性、低激子結(jié)合能、長載流子擴(kuò)散長度以及易溶液制備等特點(diǎn)而受到廣泛關(guān)注。鈣鈦礦太陽電池更是發(fā)展迅速,其光電轉(zhuǎn)換效率已超過24%,具有廣闊的發(fā)展前景。鈣鈦礦材料的特性調(diào)控、薄膜缺陷的抑制與鈣鈦礦電池器件結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計(jì)是鈣鈦礦太陽電池性能提升的主要研究方向。鈣鈦礦材料獨(dú)特的自摻雜特性可以實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電類型的調(diào)控,為電池器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)提供了新的方向。本論文從鈣鈦礦材料自摻雜特性的物理本質(zhì)入手,實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦薄膜自摻雜特性的調(diào)控,進(jìn)一步設(shè)計(jì)新型高效鈣鈦礦太陽電池結(jié)構(gòu),主要研究內(nèi)容如下:利用開爾文探針顯微鏡(KPFM)和導(dǎo)電原子力顯微鏡(C-AFM)研究了鈣鈦礦(MAPbI3)薄膜的表面缺陷,分析了其優(yōu)化改性的影響因素。研究反映,鈣鈦礦薄膜表面缺陷產(chǎn)生的電子陷阱可以通過退火處理進(jìn)行控制,從而顯著提高鈣鈦礦太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率,抑制了遲滯現(xiàn)象;退火溫度從60℃C提升到130℃C,使得太陽電池效率由10.9%提升至17.1%。這為抑制鈣鈦礦薄膜表面缺陷、提升薄膜質(zhì)量提供了有效的思路,也為進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高效、無電流遲滯的鈣鈦礦太陽電池的研究制備奠定了基礎(chǔ)。通過工藝調(diào)...

【文章頁數(shù)】:131 頁

【學(xué)位級(jí)別】:博士

【部分圖文】:

圖1-5鈣鈦礦太陽電池中功能層的能級(jí)示意圖[54],??包?

圖1-5鈣鈦礦太陽電池中功能層的能級(jí)示意圖[54],??包?

換效率的不同。真空沉積中最常見的方法是一步前驅(qū)體沉積、連續(xù)氣相沉積和雙??源真空沉積。在溶液加工方法中,一步旋涂法、兩步旋涂法、氣相輔助溶液處理??和噴涂法是一些最常見的沉積方法[4M3](如圖1-4所示)。??(a)?MAI+PbI,/DMF?(b)?%?Pbl./DMF?(c....


圖1-7鈣鈦礦太陽電池中的電荷傳輸通道PI:?a)介孔結(jié)構(gòu);b)平面結(jié)構(gòu)??Figure?1-7?Charge?transport?channels?in?perovskite?solar?cells:??

圖1-7鈣鈦礦太陽電池中的電荷傳輸通道PI:?a)介孔結(jié)構(gòu);b)平面結(jié)構(gòu)??Figure?1-7?Charge?transport?channels?in?perovskite?solar?cells:??

荷傳輸通道通常依照這兩種器件結(jié)構(gòu)的性質(zhì)進(jìn)行討論。在介孔結(jié)構(gòu)中,鈣鈦礦層??在多孔的半導(dǎo)體金屬氧化物(如Ti〇2)上形成,構(gòu)建了相互滲透的網(wǎng)絡(luò),因此,??光生電子可以沿Ti〇2區(qū)域到陰極,而空穴沿鈣鈦礦區(qū)域被傳輸?shù)疥枠O(如圖1-??7[75])。??(a)?(b)?!—?n-typ....


圖3-3穩(wěn)態(tài)PL表征:a)未退火與130°C下30分鐘退火處理的MAPbi;薄膜的PL譜圖,??插圖為PL光譜中通過高斯擬合提取的陷阱相關(guān)發(fā)光峰;??

圖3-3穩(wěn)態(tài)PL表征:a)未退火與130°C下30分鐘退火處理的MAPbi;薄膜的PL譜圖,??插圖為PL光譜中通過高斯擬合提取的陷阱相關(guān)發(fā)光峰;??

華北電力大學(xué)博士學(xué)位論文??前文從圖3-1可知,C-AFM測(cè)得的光電流是由光生空穴引起的。所以,如??圖3-2所示,隨著退火溫度和退火時(shí)間的增加,光電流的增加意味著在較高的退??火溫度和較長的退火時(shí)間下,MAPbI3表面會(huì)產(chǎn)生大量的光生空穴。從圖3-2中??的KPFM測(cè)得的表面電....


圖3-4不同溶劑(DMSO/DMF)和不同退火溫度(未退火、60°C、100°C、130°C)制備的??MAPbI3薄膜的SEM表面形貌研宄??27??

圖3-4不同溶劑(DMSO/DMF)和不同退火溫度(未退火、60°C、100°C、130°C)制備的??MAPbI3薄膜的SEM表面形貌研宄??27??

3.4.1薄膜晶粒尺寸與表面電學(xué)特性的關(guān)系??先前的結(jié)果己知KPFM測(cè)得的表面電勢(shì)和C-AFM測(cè)得的光電流伴隨著??MAPbh薄膜晶粒尺寸的增大而增加,其表面的形貌如圖3-2的AFM和圖3-4的??SEM所測(cè)得的俯視圖所示。未經(jīng)過熱退火的MAPbb薄膜展現(xiàn)出小顆粒狀的表??面(圖....



本文編號(hào):3949805

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