強(qiáng)界面相互作用h-BN/Re(0001)體系上不可修復(fù)的疇區(qū)拼接缺陷及其電子態(tài)
發(fā)布時(shí)間：2024-04-02 21:59
<正>六方氮化硼(h-BN)是以硼原子(B)與氮原子(N)交替連接形成的蜂窩狀二維原子晶體,作為二維材料家族中唯一的寬帶隙絕緣體(5.8 eV),具有優(yōu)異的導(dǎo)熱性、良好的透光性、穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)以及原子級平整的表面,這使其在光發(fā)射器件、透明電子學(xué)器件、防氧化涂層等領(lǐng)域具有非常廣闊的應(yīng)用前景1–4。h-BN與石墨烯(G)具有相似的晶體結(jié)構(gòu),卻具有完全不同的電子結(jié)構(gòu),前者是寬
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本文編號：3946266
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