黑硅是一種表面經(jīng)過(guò)處理的硅材料,與普通硅相比其最突出的優(yōu)點(diǎn)是超高的吸收率,黑硅在可見(jiàn)光波段的吸收率能達(dá)到80%以上。硒化鋅(ZnSe)是一種重要的II-VI族寬禁帶半導(dǎo)體,室溫下禁帶寬度為2.7 eV,其在光電探測(cè)、光伏以及發(fā)光器件方面均具有重要的應(yīng)用。納米異質(zhì)結(jié)是納米光電子器件的基本構(gòu)成部分,所以構(gòu)建黑硅和硒化鋅異質(zhì)結(jié)并提高其性能具有重要研究意義。此項(xiàng)研究中,我們報(bào)道了通過(guò)在黑硅上直接生長(zhǎng)P型硒化鋅納米線來(lái)構(gòu)建ZnSeNWs/Black Si異質(zhì)結(jié)的方法以及基于此制備的器件在光電探測(cè)方面的應(yīng)用,取得成果主要如下：1、通過(guò)金屬輔助刻蝕的方法成功刻蝕出了金字塔形和塔錐表面具有硅納米柱的黑硅,其中硅片表面的金字塔形硅錐大小為5-8μm且排列緊密、形貌均勻統(tǒng)一,硅錐表面的納米柱能達(dá)到300 nm左右,刻蝕的黑硅在可見(jiàn)光波段的吸收率能達(dá)到95%以上。2、選取Sb作為P型摻雜源,黑硅作為沉積襯底,通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)的方法成功合成了ZnSe:Sb納米線。獲得的納米線為單晶閃鋅礦結(jié)構(gòu),形貌均勻。3、在生長(zhǎng)了ZnSeNWs黑硅的頂部轉(zhuǎn)移一層石墨烯做為電極構(gòu)建器件,器件顯示出了卓越的器件性能。在...

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

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圖１．１典型的太陽(yáng)能電池內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖??Ｆｉｇ?１．１?Ｔｈｅ?ｉｎｔｅｒｎａｌ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ａ?ｔｙｐｉｃａｌ?ｓｏｌａｒ?ｃｅｌｌ??

膜太陽(yáng)能電池Ｈ種。??—ＩＭＢＳＳ?護(hù)、。??圖１．２珪太陽(yáng)能電池板??Ｆｉｇ?１．２?Ｔｈｅ?ｓｉｌｉｃｏｎ?ｓｏｌａｒ?ｐａｎｅｌｓ??２??

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—＇?免化巧？??圖１．１典型的太陽(yáng)能電池內(nèi)部結(jié)構(gòu)示意圖??Ｆｉｇ?１．１?Ｔｈｅ?ｉｎｔｅｒｎａｌ?ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ａ?ｔｙｐｉｃａｌ?ｓｏｌａｒ?ｃｅｌｌ??對(duì)于結(jié)型太陽(yáng)能電池，其有源層材料大部分是由是半導(dǎo)體構(gòu)成的，送些材??料不僅有ＩＶ族元素半導(dǎo)體....

圖１．３飛秒激光器制備黑娃的ＳＥＭ圖??Ｆｉｇ?１．３?ＳＥＭ?ｉｍａｇｅ?ｏｆ?拓ｍｔｏｓｅｃｏｎｄ?ｌａｓｅｒ?ｐｉ＊ｅｐａｒｅｄ?ｂｌａｃｋ?ｓｉｌｉｃｏｎ??

圖１．３飛秒激光器制備黑娃的ＳＥＭ圖??Ｆｉｇ?１．３?ＳＥＭ?ｉｍａｇｅ?ｏｆ?拓ｍｔｏｓｅｃｏｎｄ?ｌａｓｅｒ?ｐｉ＊ｅｐａｒｅｄ?ｂｌａｃｋ?ｓｉｌｉｃｏｎ??多孔黑珪制備法。這種制各方法是將娃片放入刻蝕溶液中，并源。恒壓源的陽(yáng)極提供空穴參與反應(yīng)，此外恒壓源提供的電的空穴可....

圖１．４多孔黑娃的化Ｍ圖??．ａｅｎ??

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