近年來,一維(1D)半導(dǎo)體納米材料,比如納米線、納米棒和納米管,作為未來納米器件的基石和納米尺度下基礎(chǔ)物理研究的理想平臺,已經(jīng)成為研究的熱點(diǎn)。它們不僅在納米器件的制造中具有新的物理性質(zhì)和應(yīng)用,也被認(rèn)為是電子器件、光電器件和其他納米器件的橋梁和功能部件。在這些應(yīng)用中,半導(dǎo)體納米材料的帶隙是決定器件基本性能的關(guān)鍵物理參數(shù),比如發(fā)光二極管和半導(dǎo)體激光器的工作波長。在II-VI族半導(dǎo)體納米材料中,硫化鋅(Zinc Sulphide,ZnS)、硒化鋅(Zinc Selenide,ZnSe)、硫化鎘(Cadmium Sulfide,CdS)和硒化鎘(Cadmium Selenide,CdSe)等在納米器件和光電器件中都有廣泛的應(yīng)用。本論文主要是研究Ag/CdS復(fù)合納米線的增強(qiáng)熒光特性,具體內(nèi)容如下:1.闡述論文研究背景。講述半導(dǎo)體納米材料和金屬-半導(dǎo)體復(fù)合結(jié)構(gòu)的光學(xué)特性以及應(yīng)用。CdS納米線用化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition,CVD)合成;采用X射線衍射(X-ray Diffraction,XRD)表征樣品的物相結(jié)構(gòu)和元素組成;用原子力顯微鏡(Atom Force...

【文章頁數(shù)】：69 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-1CdSSe納米線(a)和納米帶(b)的光譜圖

[24]。圖1-1顯示了常溫下的CdSSe納米線(a)和納米帶(b)的歸一化熒光光譜(Photoluminescence,PL)。這兩個(gè)光譜都有各自的一個(gè)發(fā)射帶，分別位于~620

圖1-2分別是低倍率(a)和高倍率(b)下的CdSSe的SEM圖

圖1-2分別是低倍率(a)和高倍率(b)下的CdSSe的SEM圖[24]從圖1-2中可以看出，所生長的CdSSe納米材料有納米線、納米帶等，明顯看到它們表面光滑，生長均勻[24]。1.1.2增強(qiáng)金屬-半導(dǎo)體復(fù)合納米線的二次諧波特性

圖1-3(a)Ag膜覆蓋的CdS納米線的結(jié)構(gòu)示意圖

[9]。圖1-3(a)Ag膜覆蓋的CdS納米線的結(jié)構(gòu)示意圖。(b)暗場下Ag膜覆蓋的CdS納米線的SHG信號圖。(c)SHG轉(zhuǎn)換效率對比圖。(d)SHG信號強(qiáng)度和激發(fā)光功率關(guān)系圖。(e)復(fù)合結(jié)構(gòu)的SHG信號的偏振特性[9]。1.2半導(dǎo)體納米材料的光學(xué)特性1.2.....

圖1-4(a)Al膜覆蓋和裸露的ZnS納米棒的光譜圖

可能與納米材料的尺寸、空間耦合效率低等有關(guān)。因此，在現(xiàn)在的科研領(lǐng)域中，提高二次諧波的轉(zhuǎn)換效率勢在必行。制備金屬-半導(dǎo)體復(fù)合納米結(jié)構(gòu)，利用回廊膜的腔結(jié)構(gòu)，可以有效的提高二次諧波的轉(zhuǎn)換效率[8]。從圖1-4看出，Al覆蓋的ZnS納米棒的二次諧波強(qiáng)度是裸露的60倍，它們都是....

本文編號：3943168