碲化鎘(Cd Te)是一種Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料,由于其具有光譜響應(yīng)與太陽光譜十分匹配的帶隙值(Eg=1.45ev),在可見光范圍內(nèi)較高的光吸收系數(shù)(>5×105/cm)和電子遷移率(μe=7800⁸600cm2/Vs)等重要的性質(zhì)被認為是最適合用作太陽能電池器件的光吸收層材料之一。眾所周知,合成具有特定結(jié)構(gòu)的納米晶體以及研究基于該結(jié)構(gòu)的性質(zhì)具有非常重要的意義。在眾多納米材料制備工藝中,電沉積法可以獲得不同結(jié)構(gòu)的Cd Te而被認為是一種合適的制備方法。該方法操作簡單,成本低廉,可大面積制備,所以本文就是采用電沉積法制備的Cd Te薄膜,研究了沉積電位對薄膜的影響,并對該薄膜的形貌,組分,晶體結(jié)構(gòu),和光電化學(xué)性能進行了測試與表征。又研究了酸性電解液體系下有機添加劑檸檬酸鈉的加入對于所制備薄膜的影響。主要工作為:(1):室溫條件下,在Ni片基底上,采用恒電位電沉積法制備了垂直基底直立生長的具有棒狀陣列結(jié)構(gòu)的Cd Te薄膜。以Ni片為工作電極,石墨片為對電極,Ag/Ag Cl/KCl(sat)為參比電極。電解液由硫酸鎘、亞碲酸鈉組成,并用硫酸調(diào)其PH至2。在沉積...

【文章頁數(shù)】：58 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1P-N結(jié)示意圖

第一章緒論31.2.2P-N結(jié)導(dǎo)體材料中雖然存在大量的自由電子，但材料本身并不帶電。比如，P型半導(dǎo)體材料和N型半導(dǎo)體材料，即便他們自身有大量的自由電子，但在沒有外界條件作用的情況時，它們不呈電性，是一種電中性物質(zhì)。若把兩種半導(dǎo)體材料緊密接觸時，在兩者的交界面處就會形成一種特殊的區(qū)....

圖1.5太陽能電池的伏安特性曲線

第一章緒論5光照電流圖1.4太陽能電池工作原理圖1.2.4太陽能電池的主要性能參數(shù)太陽能電池的工作電壓U和工作電流I是隨著負載電阻R而變化的，將實驗中測得的不同阻值R（0→∞）所對應(yīng)的工作電壓U和工作電流I記錄下來并用曲線連接得到的就是太陽能電池的伏安特性曲線，如圖1.5所示。圖....

圖1.6CdTe薄膜太陽能電池的上層配置和底層配置示意圖

第一章緒論10料。常見的制備方法有磁控濺射法[46-47]，熱蒸發(fā)法[48-49]，化學(xué)氣相沉積法[50-51]，電化學(xué)沉積法[52-54]等。圖1.6CdTe薄膜太陽能電池的上層配置和底層配置示意圖4.染料敏化太陽能電池（DSCS):DSCS電池是一種光電化學(xué)電池。1991年M....

圖2.1電化學(xué)沉積法制備CdTe薄膜的實驗裝置圖

第二章CdTe納米棒陣列的電沉積制備及其光電化學(xué)性能研究17圖2.1電化學(xué)沉積法制備CdTe薄膜的實驗裝置圖2.2.3電化學(xué)行為分析為了確定電沉積的機制以及在酸性溶電解液中制備CdTe薄膜的沉積電位，我們對電解液進行了循環(huán)伏安曲線的測量，測試結(jié)果如圖2.2所示。沉積電位的掃描范圍....

本文編號：3938135