本文利用有籽晶的HPVGF法生長(zhǎng)了尺寸為■54 mm×25 mm的高質(zhì)量CdSe單晶,晶體為纖鋅礦結(jié)構(gòu),(002)和(110)面的XRD搖擺曲線半高寬分別為54.4″和45.6″。使用紅外顯微鏡和掃描電鏡-能譜分析儀對(duì)晶體內(nèi)部的夾雜相進(jìn)行測(cè)試,表明晶體內(nèi)部存在小尺寸富Se夾雜相。CdSe晶片在2.5～20μm范圍內(nèi)的透過(guò)率高于68%,平均吸收系數(shù)為0.037 cm^-1。制備出尺寸為10 mm×12 mm×50 mm且滿足第Ⅱ類相位匹配條件的CdSe晶柱,在重頻1 kHz,波長(zhǎng)2.09μm的Ho∶YAG調(diào)Q泵浦源激勵(lì)下,實(shí)現(xiàn)了中心波長(zhǎng)為11.47μm,線寬為33.2 nm的激光輸出,最大輸出功率為389 mW。

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【部分圖文】：

圖2(002)和(110)晶面的XRD測(cè)試圖譜

2.1結(jié)晶質(zhì)量分析圖2為(002)和(110)晶片在2θ為10°～90°的XRD全譜測(cè)試結(jié)果,由圖可以看出,兩個(gè)晶面的測(cè)試衍射峰均與六方相CdSe標(biāo)準(zhǔn)圖譜(JCPDSCardNo.653415)中給出的相應(yīng)晶面衍射峰吻合,無(wú)雜峰出現(xiàn),表明所生長(zhǎng)的CdSe晶體為單晶,具有六方....

圖3(002)和(110)面晶片的X射線搖擺曲線

圖2為(002)和(110)晶片在2θ為10°～90°的XRD全譜測(cè)試結(jié)果,由圖可以看出,兩個(gè)晶面的測(cè)試衍射峰均與六方相CdSe標(biāo)準(zhǔn)圖譜(JCPDSCardNo.653415)中給出的相應(yīng)晶面衍射峰吻合,無(wú)雜峰出現(xiàn),表明所生長(zhǎng)的CdSe晶體為單晶,具有六方纖鋅礦結(jié)構(gòu)。圖3(a....

圖4晶體夾雜物的紅外顯微圖(a)和SEM照片(b),夾雜物(c)和無(wú)夾雜物(d)區(qū)域的EDS圖譜

在紅外顯微鏡低倍物鏡觀測(cè)下,晶片內(nèi)部的透光性好,無(wú)大尺寸吸光包裹物缺陷,使用50×物鏡可觀測(cè)到晶體內(nèi)部某些區(qū)域內(nèi)存在一些襯度較低的黑色夾雜物,尺寸2～5μm不等,如圖4(a)所示。將晶片中含有夾雜物區(qū)域進(jìn)行解離,在SEM下尋找暴露在解離表面的夾雜物。圖4(b)為夾雜物的SEM照....

圖1(a)?54mm×25mm的CdSe單晶錠;(b)不同尺寸的CdSe晶柱

以純度為99.9999%的CdSe多晶料為原料,選取(001)晶向?yàn)樽丫Х较?采用HPVGF法進(jìn)行CdSe單晶的生長(zhǎng)。首先將籽晶和原料分別裝入干燥潔凈的PBN坩堝內(nèi),外層輔以石墨坩堝,并置于可形成垂直溫度梯度分布的晶體生長(zhǎng)爐內(nèi)。當(dāng)生長(zhǎng)腔室內(nèi)的真空度低于0.01Pa后,以30～....

本文編號(hào)：3935614