有機-無機雜化材料同時具備有機以及無機材料的特性,因此其研究及應(yīng)用得到了迅速的發(fā)展。多面體齊聚倍半硅氧烷(Polyhedral Oligomeric Silsesquioxane,POSS)是以硅氧鍵作為骨架具有籠型或環(huán)形結(jié)構(gòu)的分子。制備含POSS的有機-無機雜化材料一般是通過兩種方法:即化學方法與物理共混法。由于有機材料與無機材料相容性的差異,單純的物理共混方法很容易導致材料的宏觀相分離�；瘜W方法是指對齊聚倍半硅氧烷進行改性使其具有反應(yīng)性官能團或與基體材料相容的結(jié)構(gòu),以增加無機組分與基體的相容性。雙夾板齊聚倍半硅氧烷(Double Decker Silsesquioxane,DDSQ)是一種典型的POSS分子。本文主要是通過硅醚化反應(yīng)、硅氫化加成反應(yīng)以及Heck反應(yīng)等方法合成了不同取代基的四官能度齊聚倍半硅氧烷(DDSQ),并將其引入到高分子材料中制備了不同的有機-無機雜化材料,同時研究了這些含DDSQ的有機-無機雜化材料的結(jié)構(gòu)與性能。主要研究內(nèi)容如下:1.含DDSQ的有機-無機聚酰亞胺納米復合材料的合成、結(jié)構(gòu)與性能研究。通過5,11,14,17-四乙烯基DDSQ與對溴苯胺發(fā)生Hec...

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【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1-11環(huán)形齊聚倍半硅氧烷的合成路線

上海交通大學碩士學位論文1.2.2.3環(huán)形齊聚倍半硅氧烷的合成環(huán)形齊聚倍半硅氧烷(MOSS)是一種比較新型的環(huán)狀立體的低聚硅氧烷。由Shchegolikhima等人[34-36]首次報道，并對其進行系統(tǒng)性的研究。MOSS的合成主要是在過渡金屬或堿金屬的存在下三烷氧基硅烷....

圖1-16Heck反應(yīng)機理示意圖

上海交通大學碩士學位論文Heck反應(yīng)是指乙烯基與鹵代烴在鈀作為催化劑的條件下，形成新的C-C雙鍵的反應(yīng)[45]。Crisp等人[46]總結(jié)了關(guān)于Heck反應(yīng)的反應(yīng)機理，具體的反應(yīng)機理如圖1-16所示。圖1-16為Heck反應(yīng)的循環(huán)，通過Pd催化劑的氧化加....

圖2.4-7有機-無機聚酰亞胺(DDSQ13%)的照片

圖2.4-7有機-無機聚酰亞胺(DDSQ13%)的照片F(xiàn)igure2.4-7Photosoforganic-inorganicpolyimidewithDDSQ13%為了觀察POSS分子在有機-無機聚酰亞胺中的分散情況，我們通過TEM對其形態(tài)結(jié)構(gòu)進行....

圖2.4-8有機-無機聚酰亞胺納米復合材料的TEM照片：A,B,C,D,E分別代表5,11,14,17-四苯胺基DDSQ含量為4、8、13、19和25wt%Figure2.4-8TEMmicrographsoftheorganic-inorganicpolyimidescontaining:A)4,B)8,C)13,D)

-32-2.4-8有機-無機聚酰亞胺納米復合材料的TEM照片：A,B,C,D,E分別代表5,11,14,17-胺基DDSQ含量為4、8、13、19和25wt%gure2.4-8TEMmicrographsoftheorganic-inorg....

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