揮發(fā)性有機(jī)化合物(VOCs)的傳感性能一直是有害氣體檢測領(lǐng)域的研究熱點(diǎn),不僅因?yàn)槠鋵θ梭w健康的負(fù)面影響,而且由于其在醫(yī)療、環(huán)境監(jiān)測和工業(yè)處理等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用。在各種氣體測試設(shè)備中,金屬氧化物氣體傳感器(MOS)是一種重要的設(shè)備。基于金屬氧化物半導(dǎo)體的氣體傳感器具有靈敏度高,響應(yīng)速度和回收率高,體積小且成本低以及在各種應(yīng)用中具有高兼容性的特點(diǎn)。氧化銦(In₂O₃)的直接帶隙約為3.6 eV,間接帶隙約為2.6 eV。具有不同形態(tài)的In₂O₃材料,例如納米粒子,納米纖維,納米線,納米管,納米片和納米棒。因其在太陽能電池,光催化應(yīng)用,透明導(dǎo)電氧化物和氣體傳感器中的潛在應(yīng)用而受到了廣泛的關(guān)注。In₂O₃作為敏感材料廣泛用來檢測C₂H₅OH、CH₃COCH₃、HCHO、CH₄和CH₃OH等氣體。本文主要采用溶劑熱法合成了In_2...

【文章頁數(shù)】：80 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1In2O3晶體結(jié)構(gòu)：左圖為立方晶系，右圖為三方晶系

第一章緒論41.4氧化銦納米材料的研究進(jìn)展1.4.1氧化銦納米材料的簡介氧化銦（In2O3）是一種具有3.55-3.75eV的直接帶隙和2.62eV的間接帶隙的n型半導(dǎo)體材料[34-37]。在室溫下具有102~104Scm-1的良好電導(dǎo)率。此外，由于In2O3具有吸附氣體，光催化....

圖1.2SEM圖：（a）酵母模板、（b，c）煅燒前、（d，e）煅燒后、（f）得到的In2O3空心微球表面

安徽大學(xué)碩士學(xué)位論文5CBD方法是通過水解和/或金屬離子和(或)配合物在水溶液中的凝結(jié)[40]。此方法通常在100℃以下，可以使用聚合物作為基材�；瘜W(xué)共沉淀是制備納米粉末或薄膜的非常有效的合成路線。該合成方法主要包括兩個步驟：（1）化學(xué)液相法；（2）熱處理。所需的金屬陽離子是從普....

圖1.3溶膠-凝膠法制備的In2O3納米顆粒

安徽大學(xué)碩士學(xué)位論文5CBD方法是通過水解和/或金屬離子和(或)配合物在水溶液中的凝結(jié)[40]。此方法通常在100℃以下，可以使用聚合物作為基材�；瘜W(xué)共沉淀是制備納米粉末或薄膜的非常有效的合成路線。該合成方法主要包括兩個步驟：（1）化學(xué)液相法；（2）熱處理。所需的金屬陽離子是從普....

圖1.4微花In2O3的SEM圖：（a，b）微花的均勻結(jié)構(gòu)；（c-e）不同尺寸的微花（f，g）納米片微花(納米片)的基本構(gòu)建單元（h）納米片中的珠狀結(jié)構(gòu)

第一章緒論6應(yīng)時(shí)間、pH值和催化劑最重要的控制參數(shù)。該合成方法具有成本低、路線簡單、制備溫度相對較低、設(shè)備簡單、粒子操作方便等優(yōu)點(diǎn)�；瘜W(xué)成分相似、純度高和熱處理溫度低。如圖1.3所示通過該方法成功制備了納米級的In2O3膠體粒子。（3）水熱/溶劑熱合成水熱/溶劑法是制備細(xì)顆粒形狀....

本文編號：3923404