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低介電系數(shù)的多孔性氧化硅/CE復(fù)合材料的研究

發(fā)布時間:2024-03-04 19:51
  氰酸酯樹脂(CE)作為一種高性能的樹脂基體,在較寬的頻率和溫度范圍內(nèi)均能保持低且穩(wěn)定的介電常數(shù)(κ)和介電損耗(tanδ),同時還具有良好的耐熱性能、低收縮率和低吸濕率,這些性能決定了它作為高性能復(fù)合材料基體樹脂的重要性。隨著高頻印刷電路板(PCB)及高性能透波材料的發(fā)展,要求聚合物具有更低的κ和tanδ、更優(yōu)異的熱學(xué)力學(xué)性能,利用多孔性無機填料改性聚合物已成為一種制備高性能復(fù)合材料的重要手段。本研究分別制備了籠型倍半硅氧烷G-POSS/CE復(fù)合材料、無機骨架介孔Si O2/CE復(fù)合材料以及結(jié)構(gòu)功能化的POSS-MPS/CE復(fù)合材料,對其微觀結(jié)構(gòu)及相關(guān)性能進行了研究,闡明了多孔性氧化硅/CE復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)與性能之間的相關(guān)性。對共聚G-POSS/CE復(fù)合材料的研究發(fā)現(xiàn),加入G-POSS后氰酸酯固化體系的固化溫度存在明顯降低。當加入4phr的G-POSS時,體系固化峰頂溫度從287℃降為252℃。G-POSS的加入在提高CE韌性的同時也有效的降低了介電常數(shù)。當G-POSS的含量為4phr時,G-POSS/CE復(fù)合材料的介電常數(shù)由3.27降低至3.05,達到最低。介電損耗也同樣隨G-PO...

【文章頁數(shù)】:85 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

圖1-1POSS分子結(jié)構(gòu)式

圖1-1POSS分子結(jié)構(gòu)式

20世紀40年代,ScottD.W首次合成了多面體低聚倍半硅氧烷(PolyhedligomericSilsesquioxanes,POSS),經(jīng)過半個世紀的發(fā)展這一領(lǐng)域的相關(guān)研究了突飛猛進的發(fā)展。POSS是指一類具有分子內(nèi)有機-無機雜化結(jié)構(gòu)的新型有化合物,其分子結(jié)....


圖1-2POSS的幾種基本典型結(jié)構(gòu)

圖1-2POSS的幾種基本典型結(jié)構(gòu)

圖1-2POSS的幾種基本典型結(jié)構(gòu)[14]著相關(guān)研究的發(fā)展,合成具有不同取代基功能化的POSS可以采取法。其主要的合成方法有以下3種。1)水解縮合法是合成POSS最直接的方法。采用三官能團有機硅單體RSiY3在酸能夠直接獲得多官能團POSS,其過程如圖1-....


圖1-3水解法制備多官能團POSS

圖1-3水解法制備多官能團POSS

圖1-2POSS的幾種基本典型結(jié)構(gòu)[14]關(guān)研究的發(fā)展,合成具有不同取代基功能化的POSS可以其主要的合成方法有以下3種。水解縮合法成POSS最直接的方法。采用三官能團有機硅單體RSiY3直接獲得多官能團POSS,其過程如圖1-3所示。


圖1-4單官能團POSS合成路線

圖1-4單官能團POSS合成路線

第一章文獻綜述(2)頂端-封角法目前,合成單官能團POSS的主要方法是“頂端-封角”法,即:首先有反應(yīng)活性基團的三氯硅烷水解在溶液中,獲得部分縮合結(jié)構(gòu)的T7(OH)3加入帶有活性基團的三氯硅烷,進行“封角”反應(yīng),最終獲得封閉的籠型結(jié)成路線如圖1-4所示。



本文編號:3919096

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