低介電系數的多孔性氧化硅/CE復合材料的研究
發(fā)布時間:2024-03-04 19:51
氰酸酯樹脂(CE)作為一種高性能的樹脂基體,在較寬的頻率和溫度范圍內均能保持低且穩(wěn)定的介電常數(κ)和介電損耗(tanδ),同時還具有良好的耐熱性能、低收縮率和低吸濕率,這些性能決定了它作為高性能復合材料基體樹脂的重要性。隨著高頻印刷電路板(PCB)及高性能透波材料的發(fā)展,要求聚合物具有更低的κ和tanδ、更優(yōu)異的熱學力學性能,利用多孔性無機填料改性聚合物已成為一種制備高性能復合材料的重要手段。本研究分別制備了籠型倍半硅氧烷G-POSS/CE復合材料、無機骨架介孔Si O2/CE復合材料以及結構功能化的POSS-MPS/CE復合材料,對其微觀結構及相關性能進行了研究,闡明了多孔性氧化硅/CE復合材料的微觀結構與性能之間的相關性。對共聚G-POSS/CE復合材料的研究發(fā)現,加入G-POSS后氰酸酯固化體系的固化溫度存在明顯降低。當加入4phr的G-POSS時,體系固化峰頂溫度從287℃降為252℃。G-POSS的加入在提高CE韌性的同時也有效的降低了介電常數。當G-POSS的含量為4phr時,G-POSS/CE復合材料的介電常數由3.27降低至3.05,達到最低。介電損耗也同樣隨G-PO...
【文章頁數】:85 頁
【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
本文編號:3919096
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【學位級別】:碩士
【部分圖文】:
圖1-1POSS分子結構式
20世紀40年代,ScottD.W首次合成了多面體低聚倍半硅氧烷(PolyhedligomericSilsesquioxanes,POSS),經過半個世紀的發(fā)展這一領域的相關研究了突飛猛進的發(fā)展。POSS是指一類具有分子內有機-無機雜化結構的新型有化合物,其分子結....
圖1-2POSS的幾種基本典型結構
圖1-2POSS的幾種基本典型結構[14]著相關研究的發(fā)展,合成具有不同取代基功能化的POSS可以采取法。其主要的合成方法有以下3種。1)水解縮合法是合成POSS最直接的方法。采用三官能團有機硅單體RSiY3在酸能夠直接獲得多官能團POSS,其過程如圖1-....
圖1-3水解法制備多官能團POSS
圖1-2POSS的幾種基本典型結構[14]關研究的發(fā)展,合成具有不同取代基功能化的POSS可以其主要的合成方法有以下3種。水解縮合法成POSS最直接的方法。采用三官能團有機硅單體RSiY3直接獲得多官能團POSS,其過程如圖1-3所示。
圖1-4單官能團POSS合成路線
第一章文獻綜述(2)頂端-封角法目前,合成單官能團POSS的主要方法是“頂端-封角”法,即:首先有反應活性基團的三氯硅烷水解在溶液中,獲得部分縮合結構的T7(OH)3加入帶有活性基團的三氯硅烷,進行“封角”反應,最終獲得封閉的籠型結成路線如圖1-4所示。
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