以自制的納米ITO氣化粉為原料,采用注漿成型工藝制備了不同SnO₂含量的ITO靶材,并采用不同燒結(jié)溫度對SnO₂含量為10%(質(zhì)量分數(shù))的靶材進行了燒結(jié),通過SEM分析了不同SnO₂含量ITO靶材的組織及第二相在靶材中的數(shù)量、形貌、分布。結(jié)果表明,在1 575℃燒結(jié)溫度下,隨著SnO₂含量的增加,靶材晶粒得到細化,晶界交匯處第二相數(shù)量明顯增多;當燒結(jié)溫度提高至1 600℃時,晶界處第二相發(fā)生分解,并向母相中轉(zhuǎn)移。采用王水對1 575℃燒結(jié)的SnO₂含量為10%的靶材進行腐蝕,提取第二相,并通過EDS、XRD、TEM、TGA分析了第二相的組分、物相結(jié)構(gòu)及熱重情況。研究表明,10%SnO₂含量ITO靶材晶界交匯處形成的第二相為六方結(jié)構(gòu)的In₄Sn₃O₁₂,且靶材的氧含量與In₄Sn₃O₁₂有關(guān)。通過對不同SnO₂

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【文章目錄】：
0 引言
1 實驗
2 結(jié)果與分析
    2.1 不同SnO2含量靶材的顯微組織
    2.2 第二相及其含量對靶材性能的影響
3 結(jié)論



本文編號：3913459