發(fā)布時間：2024-02-26 06:28

　　在半導(dǎo)體行業(yè)蓬勃興起的浪潮下,信息和電子電力等工業(yè)受益良多,相應(yīng)的電子電器產(chǎn)品也日益呈現(xiàn)向小型化、智能化的方向發(fā)展,為了順應(yīng)了這一未來趨勢,儲能型電容器也正在向高能量密度、高儲能效率的方向邁進(jìn)。由此具有低介電損耗、高擊穿強度、高介電常數(shù)以及易加工成型特性的儲能型聚合物基納米陶瓷復(fù)合材料便引起了人們廣泛的關(guān)注。本文選用耐高溫的高性能聚合物聚醚砜(PES)作為復(fù)合材料的基體,納米鈦酸鋇作為復(fù)合材料的填料來制備耐高溫介電儲能材料。我們以小分子酞菁和超支化酞菁分別對鈦酸鋇納米顆粒進(jìn)行了表面化學(xué)修飾,一方面通過相似相容原理增強納米鈦酸鋇與聚醚砜基體之間的相互作用,減少納米鈦酸鋇和聚合物間的缺陷(不連續(xù)界面),增加納米鈦酸鋇的分散性。另一方面高介電常數(shù)有機半導(dǎo)體材料(酞菁)的修飾結(jié)構(gòu),能夠?qū)崿F(xiàn)在較低填充量下復(fù)合材料就具有良好的介電性能和高的能量密度。第一部分,以鈦酸鋇納米顆粒(粒徑尺寸100 nm左右)為填料,先后通過雙氧水、4-硝基臨苯二甲腈的有機修飾在鈦酸鋇納米顆粒表面引入活性的氰基基團(tuán),為后續(xù)的表面原位酞菁成環(huán)提供反應(yīng)基礎(chǔ),繼而制備了具有簡單核-殼結(jié)構(gòu)的小分子酞菁包覆鈦酸鋇納米顆粒(BT-C...

【文章頁數(shù)】：77 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 介電材料介紹
        1.2.1 介電材料的基本概念
        1.2.2 介電材料的擊穿強度
        1.2.3 介電材料的極化機理
        1.2.4 介電性能的影響因素
        1.2.5 介電材料研究進(jìn)展
        1.2.6 聚合物基復(fù)合材料的應(yīng)用
    1.3 鈦酸鋇
        1.3.1 鈦酸鋇的應(yīng)用
        1.3.2 鈦酸鋇納米顆粒的表面修飾
    1.4 聚合物基復(fù)合材料的介電模型
        1.4.1 有效媒介理論
        1.4.2 滲流閾值理論
    1.5 本課題的研究意義
第二章 實驗原料和測試儀器
    2.1 實驗原料
    2.2 實驗儀器設(shè)備及測試表征方法
第三章 BT-CuPc/PES復(fù)合材料的制備與性能研究
    引言
    3.1 銅酞菁包覆鈦酸鋇納米顆粒/聚醚砜復(fù)合材料的制備
        3.1.1 銅酞菁包覆鈦酸鋇納米顆粒的制備
        3.1.2 聚醚砜基復(fù)合材料的制備
    3.2 結(jié)果表征與討論
        3.2.1 銅酞菁包覆鈦酸鋇納米顆粒的性能表征
        3.2.2 聚醚砜基復(fù)合材料的微觀形貌研究
        3.2.3 聚醚砜基復(fù)合材料的介電性能
        3.2.4 聚醚砜基復(fù)合材料的擊穿強度和最大儲能密度
    3.3 小結(jié)
第四章 BT-HCuPc/PES復(fù)合材料的制備與性能研究
    引言
    4.1 超支化銅酞菁包覆鈦酸鋇納米顆粒/聚醚砜復(fù)合材料的制備
        4.1.1 超支化銅酞菁包覆鈦酸鋇納米顆粒的制備
        4.1.2 超支化銅酞菁包覆鈦酸鋇納米顆粒/聚醚砜復(fù)合材料的制備
    4.2 結(jié)果表征與討論
        4.2.1 BT-HCuPc納米顆粒的性能表征
        4.2.2 BT-HCuPc/PES復(fù)合材料的微觀形貌研究
        4.2.3 BT-HCuPc/PES復(fù)合材料的電學(xué)性能
        4.2.4 BT-HCuPc/PES復(fù)合材料的擊穿強度和最大儲能密度
    4.3 小結(jié)
第五章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
作者簡歷
碩士期間所取得的科研成果
致謝



本文編號：3911469