為研究調制周期和界面結構對納米多層膜應變率敏感性的影響,采用電子束蒸發(fā)鍍膜技術在Si基片上制備了不同周期(Λ=4 nm,12 nm,20 nm)的Cu/Ni納米多層膜,采用磁控濺射技術在Si基片上制備了不同周期(Λ=5 nm,10 nm,20 nm)的Cu/Nb納米多層膜。在真空條件下,對Cu/Ni納米多層膜進行了溫度分別為200和400℃、時間4 h的退火處理,對Cu/Nb納米多層膜進行了溫度分別為200、400和600℃,時間為4 h的退火處理。采用XRD和TEM表征了Cu/Ni和Cu/Nb納米多層膜的結構,采用納米壓痕儀獲取了不同加載應變率(0.005、0.01、0.05和0.2 s^-1)下納米多層膜的硬度。結果表明,應變率敏感性受到界面結構和晶粒尺寸的影響,非共格界面密度提高以及晶粒尺寸變大均可導致應變率敏感性下降。當周期變大時,Cu/Ni納米多層膜的非共格界面密度提高,晶粒尺寸變大,應變率敏感性指數(shù)m減小;當周期變大時,Cu/Nb納米多層膜的非共格界面密度下降,晶粒尺寸變大,m基本不變。隨退火溫度上升,Cu/Ni和Cu/Nb納米多層膜應變率敏感性大體上呈...

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