發(fā)布時(shí)間：2024-02-03 21:33

　　石墨烯在基礎(chǔ)物理學(xué)和電子學(xué)應(yīng)用方面的潛能吸引了人們的關(guān)注。由于六角氮化硼具有原子級(jí)平坦的表面,因而被認(rèn)為是石墨烯的優(yōu)良襯底而被大加研究。以氮化硼為襯底的石墨烯結(jié)構(gòu)具有極高的電子遷移率,在實(shí)驗(yàn)上已經(jīng)高質(zhì)量制備�；诿芏确汉碚摰牡谝恍栽碛�(jì)算方法,我們討論了襯底為h-BN層的施加小應(yīng)力、空位和進(jìn)行不同摻雜對(duì)雙層h-BN/Graphene的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響。首先研究了雙層h-BN/Graphene材料的結(jié)構(gòu)和性質(zhì),與先前的研究工作進(jìn)行對(duì)比,有很好的相符。隨后研究了小應(yīng)變對(duì)雙層結(jié)構(gòu)的帶隙的調(diào)整,研究了襯底空位B、N空位對(duì)雙層結(jié)構(gòu)和性質(zhì)的影響。我們發(fā)現(xiàn)通過施加不同應(yīng)力,帶隙會(huì)有不同的變化,相比較而言,N空位更容易形成。B、N空位時(shí)呈現(xiàn)金屬性,同時(shí)空位處有磁性的產(chǎn)生。B空位時(shí),磁性主要由周圍的N原子的Pz軌道提供,N空位時(shí),磁性主要由C原子的Pz軌道提供。其次,由于h-BN可以很好的生長(zhǎng)于Ni的(111)面,在合成h-BN層時(shí)可能會(huì)引入Ni原子的摻雜。我們研究了Ni原子摻雜的穩(wěn)定位置,結(jié)合能帶結(jié)構(gòu)與態(tài)密度圖進(jìn)行分析。發(fā)現(xiàn)在費(fèi)米能附近引入新的雜質(zhì)能級(jí),同時(shí)發(fā)現(xiàn)K點(diǎn)處的狄拉克點(diǎn)被打開。摻雜的Ni原子...

【文章頁數(shù)】：58 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1幾種低維納米材料（a）

著歷史的發(fā)展、科學(xué)技術(shù)的進(jìn)步、人類需求的提升，原有的宏觀材料人們的需要。為了滿足人們對(duì)材料的更高性能、器件尺寸的更高精度們開始對(duì)微觀材料進(jìn)行關(guān)注和深入探究�，F(xiàn)階段，國(guó)際上技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)的納米科技。因此，現(xiàn)階段一個(gè)很重要的研究?jī)?nèi)容就是對(duì)新技術(shù)新材料應(yīng)用。度范圍在1nm到100nm....

圖1.2結(jié)構(gòu)圖和能帶圖

第1章緒論1.1.1石墨烯(Graphene)簡(jiǎn)介理想的石墨烯（Graphene）結(jié)構(gòu)是平面蜂窩狀六角點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)[2]，原胞內(nèi)有兩個(gè)原子，每個(gè)原子都是sp2雜化，形成三個(gè)鍵和一個(gè)離域大鍵[3]。由于Graphen具有一個(gè)大鍵，大鍵的電子可以在平面內(nèi)自由的移動(dòng)....

圖1.3Graphene和其他材料在拉伸強(qiáng)度、楊氏模量、電子遷移率和熱傳導(dǎo)系數(shù)的對(duì)比

圖1.3Graphene和其他材料在拉伸強(qiáng)度、楊氏模量、電子遷移率和熱傳導(dǎo)系數(shù)的對(duì)比從石墨烯的理論預(yù)言到實(shí)驗(yàn)上的成功制備，大約經(jīng)歷了半個(gè)多世紀(jì)。Wallace在1947年開始研究石墨烯的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)，2004年Geim首次成功制備出了單層石墨烯[16]，獲得了20....

圖1.4幾種不同的制備方法下的Graphene的掃描電鏡圖

圖1.4幾種不同的制備方法下的Graphene的掃描電鏡圖復(fù)合材料：石墨烯薄膜[33-35]是石墨烯在復(fù)合材料中廣泛應(yīng)用的一好的柔韌性，因而可以用于制備柔性導(dǎo)電薄膜；石墨烯結(jié)構(gòu)穩(wěn)定應(yīng)用于高精度的傳感器；由于石墨烯對(duì)氣體完全的不滲透性，因表面的防腐。能量存儲(chǔ)：隨著工業(yè)的發(fā)....

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