基于二維材料WS 2 和MoTe 2 的憶阻器特性與物理機(jī)制的研究
發(fā)布時(shí)間:2024-02-03 16:00
憶阻器自出現(xiàn)以來(lái)就受到了研究人員廣泛的關(guān)注,有望開(kāi)啟神經(jīng)形態(tài)計(jì)算和數(shù)據(jù)邏輯的新時(shí)代。但在憶阻器的發(fā)展過(guò)程中,在神經(jīng)仿生、生物醫(yī)學(xué)和可穿戴電子等領(lǐng)域需要器件滿足小尺寸、低功耗和柔性等要求,這就對(duì)功能層材料提出了新的挑戰(zhàn)。而二維材料作為新材料的代表,擁有光學(xué)、電子、機(jī)械等眾多優(yōu)點(diǎn),有望解決憶阻器所面臨的困擾。因此,本文基于二維材料WS2和MoTe2制備了不同結(jié)構(gòu)的憶阻器,研究了其憶阻特性和物理開(kāi)關(guān)機(jī)制,詳細(xì)內(nèi)容如下:首先,采用WS2制備了Pd/WS2/Pt結(jié)構(gòu)的憶阻器,該器件具有良好的穩(wěn)定性,開(kāi)關(guān)速度為13 ns和14 ns,操作電流低于1μA并且開(kāi)關(guān)能量達(dá)到飛焦量級(jí),展現(xiàn)了優(yōu)異的低功耗特性。此外,該器件還成功的模擬了尖峰時(shí)間依賴可塑性和雙脈沖易化等生物突觸功能。重要的是,本文提出了硫空位和鎢空位的產(chǎn)生以及電子在空位之間的跳躍傳輸是導(dǎo)致器件電導(dǎo)變化的主要物理機(jī)制,并且通過(guò)密度泛函理論的計(jì)算,表明硫空位和鎢空位形成的缺陷態(tài)處于深能級(jí),可以防止電荷泄漏,因此有利于此器件在低功耗神經(jīng)形態(tài)計(jì)算領(lǐng)域的應(yīng)用。其次,...
【文章頁(yè)數(shù)】:71 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
abstract
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 憶阻器的介紹
1.2.1 憶阻器的背景
1.2.2 憶阻器的發(fā)展歷程
1.2.3 運(yùn)用于憶阻器的材料
1.2.4 憶阻器的物理開(kāi)關(guān)機(jī)制
1.2.5 憶阻器在突觸仿生領(lǐng)域的應(yīng)用
1.3 二維材料的介紹
1.3.1 二維材料的背景
1.3.2 二維過(guò)渡金屬硫族化合物
1.3.3 二維材料在憶阻器中的應(yīng)用
1.3.4 基于二維材料的憶阻器所面臨的挑戰(zhàn)
1.4 本論文主要內(nèi)容介紹
第二章 實(shí)驗(yàn)方法
2.1 設(shè)備介紹
2.1.1 磁控濺射設(shè)備
2.1.2 甩膠機(jī)
2.1.3 器件性能測(cè)試所需設(shè)備
2.1.4 器件微結(jié)構(gòu)表征所需設(shè)備
2.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
2.2.1 Pd/WS2/Pt憶阻器的制備
2.2.2 Pd/MoTe2/Pt器件的制備
2.2.3 Pd/MoTe2/Pd/PET器件的制備
2.2.4 Pd/oxide/MoTe2/Pd/PET器件的制備
第三章 基于二維材料WS2納米片的憶阻器在低功耗神經(jīng)形態(tài)計(jì)算方面的研究
3.1 WS2 的表征
3.1.1 WS2 納米片的TEM表征
3.1.2 WS2 薄膜的微結(jié)構(gòu)表征
3.2 Pd/WS2/Pt憶阻器的電學(xué)性能測(cè)試
3.3 Pd/WS2/Pt憶阻器的物理開(kāi)關(guān)機(jī)制分析
3.4 WS2 中缺陷的第一性原理計(jì)算
3.5 本章總結(jié)
第四章 基于二維材料MoTe2 的柔性阻變存儲(chǔ)器的特性研究
4.1 MoTe2 的微結(jié)構(gòu)表征
4.2 電學(xué)性能測(cè)試
4.2.1 Pd/MoTe2/Pt器件的測(cè)試
4.2.2 Pd/MoTe2/Pd/PET器件的測(cè)試
4.3 物理開(kāi)關(guān)機(jī)制分析
4.4 本章總結(jié)
第五章 基于二維材料MoTe2 的柔性憶阻器在仿生電子器件方面的應(yīng)用
5.1 器件的電學(xué)性能測(cè)試
5.2 器件物理開(kāi)關(guān)機(jī)制的分析
5.3 本章總結(jié)
第六章 結(jié)論和展望
6.1 結(jié)論
6.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果
本文編號(hào):3894362
【文章頁(yè)數(shù)】:71 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【文章目錄】:
摘要
abstract
第一章 緒論
1.1 引言
1.2 憶阻器的介紹
1.2.1 憶阻器的背景
1.2.2 憶阻器的發(fā)展歷程
1.2.3 運(yùn)用于憶阻器的材料
1.2.4 憶阻器的物理開(kāi)關(guān)機(jī)制
1.2.5 憶阻器在突觸仿生領(lǐng)域的應(yīng)用
1.3 二維材料的介紹
1.3.1 二維材料的背景
1.3.2 二維過(guò)渡金屬硫族化合物
1.3.3 二維材料在憶阻器中的應(yīng)用
1.3.4 基于二維材料的憶阻器所面臨的挑戰(zhàn)
1.4 本論文主要內(nèi)容介紹
第二章 實(shí)驗(yàn)方法
2.1 設(shè)備介紹
2.1.1 磁控濺射設(shè)備
2.1.2 甩膠機(jī)
2.1.3 器件性能測(cè)試所需設(shè)備
2.1.4 器件微結(jié)構(gòu)表征所需設(shè)備
2.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
2.2.1 Pd/WS2/Pt憶阻器的制備
2.2.2 Pd/MoTe2/Pt器件的制備
2.2.3 Pd/MoTe2/Pd/PET器件的制備
2.2.4 Pd/oxide/MoTe2/Pd/PET器件的制備
第三章 基于二維材料WS2納米片的憶阻器在低功耗神經(jīng)形態(tài)計(jì)算方面的研究
3.1 WS2 的表征
3.1.1 WS2 納米片的TEM表征
3.1.2 WS2 薄膜的微結(jié)構(gòu)表征
3.2 Pd/WS2/Pt憶阻器的電學(xué)性能測(cè)試
3.3 Pd/WS2/Pt憶阻器的物理開(kāi)關(guān)機(jī)制分析
3.4 WS2 中缺陷的第一性原理計(jì)算
3.5 本章總結(jié)
第四章 基于二維材料MoTe2 的柔性阻變存儲(chǔ)器的特性研究
4.1 MoTe2 的微結(jié)構(gòu)表征
4.2 電學(xué)性能測(cè)試
4.2.1 Pd/MoTe2/Pt器件的測(cè)試
4.2.2 Pd/MoTe2/Pd/PET器件的測(cè)試
4.3 物理開(kāi)關(guān)機(jī)制分析
4.4 本章總結(jié)
第五章 基于二維材料MoTe2 的柔性憶阻器在仿生電子器件方面的應(yīng)用
5.1 器件的電學(xué)性能測(cè)試
5.2 器件物理開(kāi)關(guān)機(jī)制的分析
5.3 本章總結(jié)
第六章 結(jié)論和展望
6.1 結(jié)論
6.2 展望
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間取得的研究成果
本文編號(hào):3894362
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