發(fā)布時間：2024-02-01 10:08

　　采用熱蒸發(fā)法在鍍金硅藻土多孔陶瓷襯底表面合成出SnO₂納米線,通過XRD、SEM、TEM和XPS等檢測手段對SnO₂納米線的微觀形貌、晶體結(jié)構(gòu)及元素組成進(jìn)行分析,探討硅藻土多孔陶瓷襯底對SnO₂納米線生長的影響。結(jié)果表明:該襯底上所獲產(chǎn)物為具有四方相晶體結(jié)構(gòu)的SnO₂納米線,直徑為53～170 nm,長度為10μm～1 mm。該硅藻土陶瓷襯底的多孔特性增加材料的成核位點,有利于Sn蒸氣與Au液滴的高概率融合并快速飽合析出,從而促使Sn O₂納米線具有高產(chǎn)率和高長徑比。氣敏檢測結(jié)果表明,在較低工作溫度條件下,基于所獲SnO₂納米線的氣體傳感器對濃度為5×10^-7～1×10^-5(體積分?jǐn)?shù))的H₂S具有優(yōu)異的氣敏特性,同時具有良好的穩(wěn)定性及選擇性。

【文章頁數(shù)】：10 頁

【文章目錄】：
1 實驗
    1.1 硅藻土多孔陶瓷襯底的制備
    1.2 Sn O2納米線的制備
    1.3 樣品的結(jié)構(gòu)表征方法
    1.4 樣品的氣敏測試
2 結(jié)果與討論
    2.1 多孔陶瓷襯底形貌與結(jié)構(gòu)
    2.2 Sn O2納米線的形貌與結(jié)構(gòu)
    2.3 Sn O2納米線生長機(jī)理
    2.4 氣敏特性測試
3 結(jié)論



本文編號：3891947