聚酰亞胺(PI)在合成及性能方面的優(yōu)勢使其成為重要的絕緣材料。隨著高科技的發(fā)展,摻雜SiO₂的聚酰亞胺薄膜具有良好的機(jī)械性能、電性能和熱性能,在電氣絕緣等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。氣相SiO₂作為一種表面帶電的無機(jī)納米級顆粒可以很好的改性PI各項(xiàng)性能,但由于制備工藝本身的原因,氣相二氧化硅表面存在的活性羥基、吸附水及制備過程導(dǎo)致的表面酸區(qū),使氣相二氧化硅呈親水性,難以在有機(jī)相中浸潤和分散。本文通過制備摻雜相同納米級別的氣相二氧化硅和經(jīng)六甲基二硅氮烷處理的氣相二氧化硅,研究SiO₂表面電荷及表面改性對PI/SiO₂性能的影響。利用原位聚合方法制備摻雜兩種無機(jī)納米顆粒的復(fù)合薄膜,研究SiO₂表面電荷及表面改性對PI/SiO₂性能的影響。利用TEM觀察兩種納米顆粒的形貌、XRD表征納米顆粒的組織結(jié)構(gòu)、Zeta電位測試納米顆粒表面電性,利用小角X射線散射技術(shù)、FTIR紅外吸收光譜表征PI/SiO₂復(fù)合薄膜的結(jié)構(gòu)特征,并通過介電頻譜、電暈和差示掃...

【文章頁數(shù)】：62 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第1章 緒論
    1.1 聚酰亞胺的發(fā)展及應(yīng)用
        1.1.1 聚酰亞胺簡介
        1.1.2 聚酰亞胺種類及性能
        1.1.3 聚酰亞胺的應(yīng)用
    1.2 納米摻雜聚酰亞胺的研究概況
        1.2.1 聚酰亞胺復(fù)合薄膜的制備方法
        1.2.2 納米摻雜聚酰亞胺的研究進(jìn)展
    1.3 本論文的主要研究內(nèi)容
第2章 實(shí)驗(yàn)材料與測試方法
    2.1 實(shí)驗(yàn)原料與儀器
        2.1.1 實(shí)驗(yàn)原料
        2.1.2 實(shí)驗(yàn)儀器
    2.2 結(jié)構(gòu)表征方法
        2.2.1 X射線衍射測試
        2.2.2 Zeta電位測試
        2.2.3 透射電鏡測試(TEM)
        2.2.4 吸水率測試
        2.2.5 小角X射線散射測試(SAXS)
        2.2.6 FTIR紅外吸收光譜測試
    2.3 性能測試及形貌觀察
        2.3.1 介電譜測試
        2.3.2 老化性能測試
        2.3.3 表面形貌分析(SEM)
        2.3.4 熱性能分析
    2.4 本章小結(jié)
第3章 PI/SiO₂納米復(fù)合薄膜的制備與結(jié)構(gòu)表征
    3.1 聚酰亞胺的合成原理
    3.2 二氧化硅的結(jié)構(gòu)與特性
    3.3 PI/SiO₂的制備與SiO₂改性機(jī)理
        3.3.1 PI/SiO₂的制備
        3.3.2 氣相SiO₂表面改性機(jī)理
    3.4 SiO₂顆粒的微觀結(jié)構(gòu)和表面狀態(tài)
        3.4.1 SiO₂顆粒的X射線衍射表征
        3.4.2 納米SiO₂顆粒的形貌
        3.4.3 納米SiO₂顆粒的表面狀態(tài)
    3.5 PI/SiO₂的微觀結(jié)構(gòu)
        3.5.1 PI/SiO₂的紅外光譜表征
        3.5.2 PI/SiO₂的吸水率測試
        3.5.3 PI/SiO₂的X射線散射強(qiáng)度和分形特征
    3.6 本章小結(jié)
第4章 PI/SiO₂納米復(fù)合材料的性能分析
    4.1 PI/SiO₂納米復(fù)合薄膜的熱性能
    4.2 PI/SiO₂納米復(fù)合薄膜的極化特性
        4.2.1 傳統(tǒng)介電理論
        4.2.2 電介質(zhì)極化的種類與特性
        4.2.3 PI/SiO₂納米復(fù)合薄膜的介電常數(shù)頻譜
        4.2.4 PI/SiO₂納米復(fù)合薄膜的損耗角正切
    4.3 薄膜的耐電暈壽命與老化機(jī)理分析
    4.4 本章小結(jié)
結(jié)論
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間所發(fā)表的學(xué)術(shù)論文
致謝



本文編號：3884482