以三甲基鎵(TMGa)和氮氣(N₂)分別作為鎵和氮反應(yīng)源,采用電子回旋共振等離子體增強金屬有機物化學(xué)氣相沉積(ECR-PEMOCVD)技術(shù)在鍍銅玻璃襯底上沉積出氮化鎵(GaN)薄膜,采用高能電子衍射(RHEED)、X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)和光致發(fā)光(PL)測試手段,表征分析TMGa流量對GaN薄膜的結(jié)晶性能、光學(xué)性能及表面形貌特性的影響。結(jié)果表明,TMGa流量對所制備的薄膜性能的影響很大, TMGa體積流量為1.4 mL/min時,GaN薄膜具有較強的c軸擇優(yōu)取向和良好的表面光滑度,晶粒較大且均勻,室溫PL光譜顯示在354 nm處有較高強度的光致發(fā)光峰,因帶隙調(diào)制而產(chǎn)生光學(xué)帶隙的藍移。

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圖1三甲基鎵流量不同時沉積的GaN薄膜的原位反射高能電子衍射圖譜

圖2三甲基鎵流量不同時沉積的GaN薄膜的X射線衍射譜圖

圖3三甲基鎵流量不同時制備的GaN薄膜的原子力顯微鏡圖像

圖4三甲基鎵體積流量為1.4mL/min時制備的

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