Bi₂Se₃是拓?fù)浣^緣體材料中的一種典型代表,其體能隙高達(dá)0.3eV,抗熱擾動能力強(qiáng),有希望成為能在室溫下工作的自旋電子器件的基礎(chǔ)材料。然而單一材料的物理性質(zhì)是固定的,初步研究表明,由Bi₂Se₃基拓?fù)浣^緣體材料與其他材料交替堆積合成超晶格、量子阱等二維材料,展現(xiàn)出更低的熱導(dǎo)率以及更為新穎的量子物理性質(zhì)。這些新穎物性實(shí)際由低維條件下拓?fù)淞孔討B(tài)關(guān)聯(lián)度的耦合狀態(tài)決定,與超晶格或者量子阱的各種結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)相關(guān),因此也便于通過改變拓?fù)浣^緣體超晶格或者量子阱的結(jié)構(gòu)參數(shù)實(shí)現(xiàn)調(diào)制物性的目的。本文將圍繞Bi₂Se₃基超晶格和異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備及異質(zhì)界面基礎(chǔ)輸運(yùn)物性表征前沿方向展開深入研究,所得實(shí)驗(yàn)結(jié)果可以作為更深入研究拓?fù)浣^緣體超晶格和量子阱結(jié)構(gòu)生長動力學(xué)以及電輸運(yùn)性質(zhì)的有益參考。具體工作內(nèi)容及相關(guān)結(jié)果簡述如下:1.利用分子束外延技術(shù)在與Bi₂Se₃晶格匹配的InP(111)B襯底上制備由Bi₂Se₃

【文章頁數(shù)】：75 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 研究工作的背景與意義
    1.2 薄膜異質(zhì)結(jié)構(gòu)簡介
    1.3 超晶格簡介
    1.4 Bi₂Se₃ 基薄膜異質(zhì)結(jié)構(gòu)和超晶格的國內(nèi)外研究進(jìn)展
        1.4.1 Bi₂Se₃ 基薄膜異質(zhì)結(jié)構(gòu)的國內(nèi)外研究進(jìn)展
        1.4.2 Bi₂Se₃ 基超晶格的國內(nèi)外研究進(jìn)展
    1.5 Bi₂Se₃ 簡介
    1.6 In₂Se₃ 簡介
    1.7 本論文的結(jié)構(gòu)安排
第二章 實(shí)驗(yàn)原理及方法
    2.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備及材料
        2.1.1 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
        2.1.2 實(shí)驗(yàn)材料
    2.2 材料制備與表征方式
        2.2.1 超高真空分子束外延技術(shù)
        2.2.2 反射式高能電子衍射儀
        2.2.3 掃描隧道顯微鏡
        2.2.4 高分辨率X射線衍射儀
        2.2.5 拉曼光譜分析
        2.2.6 光電I-V測試
        2.2.7 掃描電子顯微鏡
第三章 Bi₂Se₃/In₂Se₃ 薄膜異質(zhì)結(jié)構(gòu)分子束外延制備及性質(zhì)研究
    3.1 引言
    3.2 InP(111)B襯底上Bi₂Se₃/In₂Se₃ 薄膜異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備
        3.2.1 InP(111)B襯底的清潔與準(zhǔn)備
        3.2.2 Bi₂Se₃/In₂Se₃ 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的分子束外延生長
    3.3 Bi₂Se₃/In₂Se₃ 異質(zhì)結(jié)構(gòu)中In₂Se₃ 層的相結(jié)構(gòu)表征
    3.4 Bi₂Se₃/In₂Se₃ 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的表面形貌和成分測試
    3.5 Bi₂Se₃/In₂Se₃ 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的Ⅰ-Ⅴ測試
    3.6 本章小結(jié)
第四章 組分漸變(Bi_1-xIn_x)₂Se₃/In₂Se₃ 超晶格制備及結(jié)構(gòu)
    4.1 引言
    4.2 弱作用襯底上組分漸變(Bi_1-xIn_x)₂Se₃/In₂Se₃ 超晶格的制備
        4.2.1 氟晶云母襯底的清潔與準(zhǔn)備
        4.2.2 分子束外延制備組分漸變(Bi_1-xIn_x)₂Se₃/In₂Se₃ 超晶格的生長工藝
    4.3 組分漸變(Bi_1-xIn_x)₂Se₃/In₂Se₃ 超晶格的微觀結(jié)構(gòu)
    4.4 組分漸變(Bi_1-xIn_x)₂Se₃/In₂Se₃ 超晶格的熱擴(kuò)散測試
    4.5 本章小結(jié)
第五章 全文總結(jié)與展望
    5.1 主要結(jié)論與創(chuàng)新點(diǎn)
    5.2 后續(xù)工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果



本文編號：3874404