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微波退火對原子層沉積TiO 2 薄膜性能的影響

發(fā)布時間:2023-12-04 19:34
  采用原子層沉積(ALD)技術,以四氯化鈦和水為前驅體,在鈉鈣玻璃襯底上沉積TiO2薄膜,并進行微波退火處理。通過拉曼光譜、紫外-可見分光光度計、X射線衍射儀(XRD)和原子力顯微鏡(AFM)等,對不同微波退火溫度下TiO2薄膜的表面形貌、物相結構和光學性能進行了表征。結果表明,所制備的樣品為銳鈦礦型TiO2薄膜,微波退火溫度達到500℃時晶粒尺寸最大,為21.71 nm。其拉曼光譜的144 cm-1峰位沒有發(fā)生偏移,但強度略有變化。隨著微波退火溫度的升高,TiO2薄膜的透過率先下降后升高,折射率和消光系數則先增加后下降。擬合得到的TiO2薄膜的禁帶寬度從3.43 eV降到3.17 eV。通過AFM觀察到微波退火促進了原子重新排列,改善了表面粗糙度,形成了均勻的銳鈦礦型TiO2薄膜。

【文章頁數】:7 頁

【文章目錄】:
0 引言
1 實驗部分
    1.1 TiO2薄膜的制備
    1.2 TiO2薄膜的表征
2 結果與討論
    2.1 TiO2薄膜的物相結構
    2.2 TiO2薄膜的表面形貌
    2.3 TiO2薄膜的光學性能
3 結論



本文編號:3870575

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